1、存储板块投资观点及催化

存储板块涨价逻辑及26年展望：存储芯片板块近期表现较好，核心是三星、海力士对下游客户提出60%~70%的环比涨幅，超市场预期。涨价主因是服务器需求强劲致产能紧张，PC、手机终端因缺货接受提价。12月协议级SSSD晶圆合约价涨30%~40%，后续eMMC、UFS等消费级存储合约价预计也涨30%~40%。26年全年涨价为主旋律，上半年涨势较快，下半年涨幅趋缓，27年新增产能后价格或回调。原厂产品结构调整，25年首次出现服务器占比超过消费级的情况，使ASP和利润率维持较高水平。

存储板块催化因素分析：a. 1月份存储板块催化事件包括1月8日三星电子初步财报、21日海力士财报；b. 模组厂四季度及单月利润表现良好，1月业绩预告将对股价形成催化；c. 设备材料领域有国内两寸上市的事件性催化，重点关注具备出海能力的龙头模组公司，其成长性和空间更大。

存储板块投资方向建议：a. 投资优先级上，优先推荐存储原厂；b. 关注利基型芯片设计公司，如赵毅、普冉；c. 设备材料领域重点关注中微华创拓荆精测新元微等设备公司，以及江丰电子、神工、鼎龙、安集等材料公司。

2、春秋电子液冷业务及基本面

春秋电子液冷业务布局：春秋电子主营业务围绕笔记本电脑结构件方案，其液冷业务当前集中在笔记本电脑的液冷方案；后续公司计划将液冷场景从笔记本电脑拓宽至服务器领域，未来具备液冷业务横向扩张的能力。

春秋电子基本面及利润预期：春秋电子主营业务基本面良好，2026年主营业务利润预期接近5亿，当前位置相对2026年估值较为便宜；同时公司具备液冷属性，在当前时间点值得推荐。

3、生益科技扩产项目及AI业务

生益科技扩产项目解读：生益科技与东莞松山湖高新技术产业开发区管委会签订项目投资意向协议，将在东莞老厂区进行扩产，涉及金额45亿元人民币。此次扩产主要为应对AI、云计算、6G通信等领域高性能覆铜板的增长需求。产能建设周期约1年，投入产出比方面，普通领域至少1:1.5，AI等ASP较高的细分领域或提高至1:2，45亿元投资预计27年后带来90亿左右的收入增长，对应净利润率25%~30%。

生益科技AI业务及技术优势：生益科技26年AI部分放量增速最快，不仅在英伟达部分的份额提升，还潜在进入ASIC等领域。公司M9材料系列认证进展顺利，是全球第二家可供应M9材料的CCL公司。对公司的乐观看法基于三大逻辑：涨价维度、AI部分增速、产能扩张带来的增量。

4、2026年一季度行情及相关板块

一季度存储板块行情展望：2026年一季度行情才刚刚开始。存储板块方面，三星、海力士对现有客户的供货满足率仅50%~70%，存储缺货情况持续；价格方面，DRAM一季度涨幅在40%以上、二季度约15%左右，上半年涨价预期明确。模组厂1月中旬前可关注其中报（2025年四季度运营情况）；长鑫科技预计在农历年前后登陆资本市场，长城预计2026年二季度提交申报稿、下半年登陆。此外，国内国补政策对冲了存储涨价带来的消费电子需求下滑，一定程度缓解了需求下滑压力，反而加剧了存储需求空缺。

国产算力板块进展：2025年国产算力开始放量，摩尔、沐曦、昆仑芯、天枢智芯等GPU厂商在港股或A股登陆市场，国内在国产GPU加速器方面取得较大进展；2026年国产算力产业链将有更多产能放出，值得关注。

大模型应用及上游机会：大模型应用方面，全球大模型月度token调用量OpenAI全球第一；豆包10月日Token调用量达到50万亿，位列全球第三，百度、阿里均位列全球前七，且月度token量超越微软等海外大厂。另外，OpenAI预定三星、海力士2030年90万片/月的产能，若实现需每年至少50%增速，而全球不增加新产能仅通过技改和升级的增幅约20%。叠加端侧推理需求出现及算力真实需求落地，存储上游设备和材料板块因资本开支加大具备投资价值，2026年是新的起点。

5、蓝起科技业务表现及增长预期

DDR5内存接口芯片业务表现：蓝起科技业务结构以DDR5内存接口芯片为主，占公司营收85%~90%。市场格局方面，公司与瑞萨、Rembers三家瓜分93%~95%的市场，其中公司份额约40%，从DDR3、DDR4到DDR5格局长期稳定。2025年Q3业绩同比增长61%、环比增长3.78%，毛利率65.7%（环比+1.48%），增长主因DDR5子带迭代，第三子带收入已超第二子带，未来第四至第六子带将持续升级，随着DDR5渗透率提升，产品单价及毛利率将维持较高水平。

互联芯片业务进展：公司互联芯片包括PCIe Retimer、CKD、MDB等产品，其中PCIe Retimer芯片市场份额5%~10%，是未来重要子产品，潜在空间约10亿美金；2025年营收主要来自国内客户，2026年将拓展海外客户。MDB芯片（第二子带）过去几个月量较少，未来6个月订单金额将超1.4亿，增长确定性较强。

营收及增长预期：公司营收及利润增速稳定确定，2025年营收预计约56亿；2026年增速接近35%~40%，2027年增速仍将保持35%~40%，营收及利润增长具备稳定性。

6、存储板块制程及行业复盘

存储与逻辑芯片制程差异：逻辑芯片当前处于2纳米、3纳米阶段，DRAM争夺10纳米阶段，NAND处于14-15纳米阶段。两者制程差异原因在于，逻辑芯片依赖二维平面缩小，而DRAM和NAND可通过三维堆叠提升性能，因此不那么追求制程。NAND层数方面，2024年主流为91-192层，2027年将超300层，2030年以后或超1000层。逻辑芯片制程演进中，50-60纳米阶段有25家年新制程时剩10家，2019年剩4家，当前更先进的5纳米、3纳米制程仅3家参与。存储芯片制程从1970年英特尔8微米的首个DRAM，演进至当前10纳米左右。

全球存储厂商兴衰复盘：80-90年代日本有5家DRAM厂商（日立、东京电器、东芝、三菱机电、富士通），1998年左右因金融危机和行业下行合并为尔必达，2003年完成合并，2008年又因金融危机破产，专利和人员被美光收购。欧洲的英飞凌在2005-2006年是全球第二、第三大DRAM厂商，2009年破产，长兴获其专利。海力士（原现代电子）经历几轮起死回生，奠定当前地位。存储厂商存活关键在于经济下行期避免盲目扩张，储备资金过冬，活下来比技术优势更重要；日本、欧洲厂商衰落主因是经济危机时无法维持运营，选择被收购或破产，而三星、海力士等因能度过寒冬获得市场。

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