1、核心推荐逻辑与投资方向

当前重点推荐方向：国内半导体领域当前亟待发展先进制造，中芯国际、华虹半导体是该领域核心标的。与之相关的关键环节是光刻机，国内光刻机在半导体设备中仍处于从0到1的状态。因海外对高端光刻机禁运，国内发展光刻机的迫切性高；且光刻机是半导体设备中的第二大细分品类，符合从0到1、大空间、替代迫切三大逻辑。从产业趋势看，2025年年中至下半年，行业将有明显变化，包括先进制造良率改善及光刻机赛道产业进度推进。当前临近中报期，行业热点缺失，先进制造及光刻机赛道更易凸显。其中，光刻机赛道不依赖短期业绩与估值，具备长期想象空间。基于此，当前重点推荐以中芯国际为代表的先进制造标的，以及以福晶科技、阿石创为代表的光刻机产业链标的。

2、光刻机的战略核心地位

光刻环节重要性：光刻在半导体制造中处于核心地位。它占芯片制造成本约1/3，且耗时最长。光刻环节涉及的核心设备和材料中，设备以光刻机为主，还有涂胶显影设备；材料主要是光刻胶。与光学密切相关的产品难度大，如光刻机、明场检测设备、光刻胶。因光刻机负责高端制造的关键刻蚀工艺，其作用和难度更突出。

3、全球光刻机发展与竞争格局

光刻机发展历程：光刻机发展历经多阶段。早期接触式光刻机，掩模板与芯片贴合，尺寸比1:1，无聚焦功能，芯片制程受限。后发展为接近式，但光穿过掩模板有衍射效应，影响光刻，制程越先进越明显。为解决问题，投影式光刻机出现，在掩模板与芯片间加镜头，光路汇聚使掩模板大、刻蚀芯片小，是主流类型。后续为优化光束，浸没式光刻机诞生，液体与镜头折射率匹配提升精度，高端产品如ASML 1980系列及EUV多采用，是国内先进制程国产替代迫切方向。

光刻机分类与应用：光刻机按光源波长及加工制程分类。i线光源约436纳米，用于0.5微米及以上低端制程，封测等仍有应用；KRF光源248纳米，加工范围大几十纳米至100纳米出头；ARF光源193纳米，浸没式通过透镜和折射率匹配可至134纳米，用于28纳米及以下先进制程；EUV光源13.5纳米，海外用于10纳米以内制程。目前，EUV及高端浸没式ARF对大陆禁运。

4、光刻机核心零部件拆解

光源系统：光源系统是光刻机激光器的能量来源，核心指标为光源波长和功率。波长要越做越短，功率需达行业要求，若功率仅十几瓦或小几十瓦则无法满足加工需求。不同类型光刻机光源不同：i线、h线、g线光刻机用汞灯光源；KRF、ARF光刻机采用对应介质的准分子激光；EUV光刻机通过二氧化碳激光每秒5万次击打CD（液滴）产生13.5纳米的光。EUV光源因波长极短（13.5纳米），需采用全反射原理（穿透镜片会导致功率不足），技术难度极高，目前全球仅美国和日本两家供应商垄断。光源系统在光刻机中的价值量占比约十几个点，是光刻机三大核心系统之一。

曝光系统：曝光系统是光刻机中与光学相关的核心部分，由照明系统和投影物镜组成。照明系统负责光路传输，有光束整形、匀光等功能。光束整形可调整光斑形状，匀光系统确保光斑内各点能量匹配。照明系统的关键部件MMA微反射阵列，可通过多个微反射镜调整改变光束形状或整形。投影物镜是曝光系统中价值量最高的部分，设计难度极大：随着光刻机升级，投影物镜镜片直径增大，数量可达二三十个，且形状各异，需精确计算镜片尺寸、间距及组合方式以实现光束聚焦。此外，投影物镜还有可微调部件、冷却装置及传感器等。全球范围内，阿斯麦的投影物镜主要由蔡司整体供应，蔡司在光刻机光学产业链中地位关键。从价值量排序看，投影物镜价值量最高，其次为照明系统；从难度排序，投影物镜与光源系统难度相当，照明系统次之。

工件台系统：工件台是光刻机的关键部件，运行需抗震、稳定高速，以提升光刻机使用效率。工件台的核心难点在于高精度定位，依赖其上的传感器。部分高端光刻机使用的传感器技术门槛极高，全球仅一家公司能手工生产，且采购可直接识别为用于高端光刻机。

5、国内公司梳理与投资建议

国内公司与投资逻辑：光刻机赛道与先进制程高度相关，当前市场看好该赛道。其投资逻辑为不受短期业绩与估值束缚，具备从0到1的发展特征。具体标的方面，重点推荐中芯国际及光刻机产业链相关标的，其中福晶科技是产业链核心标的，其股价自2024年底至2025年7月7日滞涨；阿石创作为光机产业链较新的概念股，也被重点推荐。此外，还会持续推荐惠程真空、迈莱光学、波盛光电等核心公司。光刻机是一个板块，有机会将呈现板块性行情。后续团队将围绕先进制造及光刻机具体标的展开详细汇报，建议关注后续电话会议。

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