1、先进封装发展历程与主流路线

先进封装发展历程：先进封装核心发展方向为小型化与集成化，技术迭代路径清晰：20世纪60-90年代，DIP、QFP等传统封装技术为主流；90年代末到2000年，BGA、CSP等更高密度封装方式逐步普及；后续技术纵向向2.5D及3D方向演进，横向上高密度、集成化趋势持续加深，同时衍生出扇出型封装方案，采用有机材料包裹实现更大走线实际面积，技术路径还向SIP、SOC方向发展，其中SOC是在单块大晶圆片上通过不同工艺制作不同功能芯片实现高度集成，SIP是封装不同功能芯片实现更高功率、更高速率的芯片联通。

海外先进封装主流路线：全球先进封装供给侧头部厂商以台积电、三星、英特尔为主，各厂商技术路线差异清晰：a.台积电是全球先进封装市占率最高的厂商，核心方案为CoWoS，是当前英伟达终端需求最高的路线，CoWoS可分为CoWoS-S、CoWoS-R、CoWoS-W、CoWoS-L等细分类型，其中CoWoS-S采用大面积硅中介层实现晶圆级系统集成，CoWoS-R采用RDL中介层实现SOC与HBM互联及异构集成，2023年已进入量产，CoWoS-L结合RDL中介层及硅桥方案可支持更大尺寸HBM产品，2024年已进入量产，目前正持续扩大中介层尺寸以适配AI计算更高需求，此外台积电还布局3D封装SOIC等技术推动封装向更高垂直集成度发展；b.三星核心方案为COP系列封装架构，包含COP-S、COP-E、COP-R三类，2.5D COP-S采用硅中介层将逻辑芯片与HBM横向放置于同一封装，2.3D COP-E采用嵌入式硅桥方案通过大尺寸中介层实现不同芯片横向集成，2.3D COP-R采用PLP、WLP技术的有机RDL中介层方案，可支持更多芯片集成，兼顾信号完整性、连接可靠性及封装尺寸优势；c.英特尔核心方案包括EMIB 3.5D、Foveros S 2.5D等，其中EMIB为2.5D嵌入式桥接方案，可用于逻辑芯片之间、逻辑芯片与HBM之间的封装集成，Foveros S、Foveros R为面向2.5D异构集成的方案。

国内先进封装布局情况：国内先进封装厂商已有较深厚技术布局，代表性企业及核心技术如下：a.长电科技核心技术为XDFOI chiplet异构集成技术，通过RDL重布线实现多芯片互联，覆盖2D、2.5D等多种集成方案，平台主要面向AI高性能计算、CPU、GPU等场景，是下一代chiplet架构先进封装的重要解决方案；b.通富微电已具备FCBGA、FCCSP、fanout、SiP等多类型先进封装技术能力；c.盛合晶微核心技术为smart poser技术，通过3D堆叠和高密度互联技术缩短信号传输路径，提升数据传输效率；d.华天科技围绕SiP、fanout等先进封装技术开展深度布局。

2、玻璃基板核心优势与应用场景

玻璃基板核心竞争优势：玻璃基板相对传统有机载板、硅中介层具备多重核心优势：一是热膨胀系数（CTE）可控性更高，可通过原片制造环节调整实现与PCB、下层基板的CTE高度匹配，避免AI服务器长时间运行发热后不同材质热膨胀差异引发的翘曲问题，适配大尺寸芯片封装需求；二是降本潜力显著，玻璃原片为方形结构，相比圆形硅片可减少面积浪费，量产后整体成本较硅片低20%-30%；三是介电系数表现优于硅中介层及有机载板，综合性能优势下其成为下一代先进封装核心方案的确定性持续提升。

玻璃基板主要应用场景：玻璃基板主要应用于四大场景，各场景落地进度及技术成熟度存在差异：
a. 中介层（interposer）方案：以台积电主推的CoWoS方案为主，用玻璃替代原有有机或硅中介层，规模化落地后可使单位面积成本下降20%-30%。该方案放量取决于三大因素：大尺寸玻璃面板良率、TGV及2DL全流程工艺稳定性、海外头部AI客户需求意愿，当前良率提升速度较快，TGV已实现20多层稳定量产技术储备，英伟达明确要求2028年实现该方案落地，AMD、博通、AWS及国内H客户、腾讯等均有明确需求；
b. 玻璃芯层（glass core）方案：为当前全球主流布局方向，核心是替代ABF载板中的有机层芯体实现性能突破，可行性更高且对芯片性能提升效果优于中介层方案，国内京东方、蓝思科技、TCL科技、歌尔股份均重点推进该方案，海外三星也在优先布局；
c. 玻璃临时载板（glass carrier）方案：为先进封装环节耗材，在HBM堆叠、晶圆减薄、RDL、扇出封装等环节提供临时键合支撑，降低薄化大尺寸芯片的翘曲、破片风险，不进入终端产品，技术壁垒及难度明显低于前两类方案；
d. 光通讯场景：玻璃基板可与RDL层配合承担ASI与PSA之间的信号互联，同时与玻璃桥同步封装，通过激光改性光波导通道实现光信号传输，大幅降低CPU耦合难度，提升量产可行性。

3、玻璃基板产业链与技术卡点

玻璃基板产业链结构：玻璃基板产业链可划分为三大核心环节：上游为设备与玻璃原片环节，中游为TGV工艺加工侧，下游为半导体、CP光通讯等应用领域。TGV全工艺流程核心步骤清晰：首先采用激光改性方式照射玻璃圆片，再通过湿法刻蚀将其浸泡到溶液中形成通孔，随后开展溅射电镀、填铜作业，之后重复进行RDL重布线，经多次操作后即可得到玻璃基板半成品。

上游玻璃原片市场格局：当前玻璃原片主流采用高硼硅玻璃，全球市场呈现海外垄断格局，核心供应商为康宁。国内京东方、沃格等厂商目前均采用康宁的玻璃原片，康宁原片的核心技术优势为可支持单层十几层RDL重布线，玻璃原片不会产生裂纹，该环节目前国产化率偏低，国产替代空间充足。

核心技术卡点与瓶颈：当前玻璃基板产业化主要面临三大核心技术卡点：
a. TGV良率瓶颈：目前国内头部厂商玻璃基板整体良率为35%~40%，该良率水平基本由TGV环节良率决定，RDL环节良率已达90%及以上。TGV良率偏低的核心原因是玻璃脆性较强，打孔过程中容易留下细小裂纹，是当前最核心的技术突破方向。
b. RDL布线约束：RDL层良率与玻璃圆片质量高度相关，RDL层数越多，对玻璃圆片的挤压次数越多，会导致良率下降。当前20层左右的玻璃基板RDL良率已达90%及以上，后续层数继续提升仅会对良率造成较小影响。
c. AOI光学检测短板：玻璃基板高透明、低反射的特性，导致AOI检测面临影像对比不足、图形边界识别模糊、缺陷辨识困难等问题，细小裂纹难以通过传统AI检测方式识别，未被及时检出的裂纹会随工序递延扩大，对芯片性能影响较大。目前国内头部厂商玻璃基板中试线月产能为1000片，月出货仅小几百片，样品量不足制约AOI检测技术迭代，后续随着量产线落地、产能攀升，厂商获取的玻璃原片数量增加后，AOI检测技术将得到明显提升。

4、海内外厂商产业化进展

海外厂商产业化进展：玻璃基板先进封装是国产供应链有望实现弯道超车的重要方向，量产节奏第一梯队为三星、京东方，其次为台积电，各核心海外厂商布局情况如下：a.英特尔：是全球较早布局玻璃基板技术的厂商，实验室阶段可实现近30层玻璃基板技术，但量产良率偏低，预计2030年实现量产；b.台积电：2026年6月已建成CoWoS中介层中试线，量产仍需2-3年，预计2028-2029年进入产能爬坡阶段，其终极技术方案为interposer玻璃基板与substrate玻璃基板结合以大幅提升性能，其中interposer方案预计2028年落地，substrate方案预计2030年落地；c.康宁：主要在光通讯侧推进玻璃基板应用，发布glass bridge玻璃桥技术及CPU玻璃基板方案，目前glass bridge光波导技术仍处于商业化验证阶段，未公布明确量产时间节点；d.三星：原计划2027年底实现量产，因TGV打孔后存在细小玻璃裂纹问题，量产时间推迟1个季度至2028年Q1；e.SKS KC：是海外产业化进度领先企业，在美国建设12万平方英尺玻璃基板生产基础设施，smart先进封装研发项目获1亿美元支持，ABS类lex工厂规划年产能约1.2万平方米，目前已进入样品供应、客户评估及可靠性验证阶段。整体来看，2028年是玻璃基板整体上量的年份，今年是玻璃基板元年，当前是布局玻璃基板的良好时间节点。

量产良率标准：玻璃基板量产设置明确良率阈值：良率达到50%即可达到建设量产线的标准，良率达到80%即达到量产起量的标准。当前全球各厂商良率水平方面，三星当前良率约60%，是全球最接近量产起量标准的厂商；国内厂商良率提升速度较快，半年内从10%-20%提升至当前的40%，国内TGV技术进展领先，是产业链可重点布局的关键环节。

国内厂商产业化进展：国内玻璃基板产业链各环节均有厂商实现技术突破，综合竞争力处于全球前列，各环节核心厂商进展如下：a.中游加工环节：京东方玻璃基板层数、良率综合指标已走到全球前列，良率水平高于台积电、群创，预计2027年Q1将通过投决会正式确定量产线具体计划，大概率以公告方式对外发布，2028年规划月产能1.5万片，单块515510mm大片可切割为16-20片小片；蓝思科技2026年7月与英特尔达成战略合作，结合双方先进封装技术及精密玻璃加工能力，共同推进数据中心所用玻璃基板封装方案，目前已可生产十几层玻璃基板产品，布局进度较快；沃格光电重点布局通信侧，掌握TGV全制程工艺，已实现小批量出货，具备510515mm大尺寸玻璃加工能力，TGV工艺可实现最大深宽比100:1、最小孔径5微米的技术水平，其2022年设立的湖北通格威项目规划年产能100万平方米，一期年产能10万平方米已实现小批量出货，1.6T光模块玻璃基板已完成小批量送样。b.上游原片环节：当前玻璃基板原片市场基本被海外厂商垄断，国内厂商若实现技术突破将迎来0到1的市场弹性，凯盛科技目前可实现6-7层RDL重布线，彩虹股份可实现5-6层RDL重布线，与海外厂商的技术差距正在持续缩小；此外骑兵集团、力诺药包等企业在高硼硅玻璃领域的技术积累也十分深厚。

5、玻璃基板行业展望与投资建议

行业发展节奏判断：玻璃基板行业发展节奏清晰，2026年为玻璃基板元年，是布局赛道性价比极高的时间点。2027年起海内外头部厂商将启动量产线筹备工作，同期向设备端下发大量订单，预计2027年上半年即可看到设备端大额订单与业绩兑现。国产玻璃基板供应链具备明确弯道超车机遇，当前国内TGV加工侧头部厂商已处于全球领先位置，玻璃基板环节不仅可以打通国内AI算力芯片先进封装需求，还可切入海外AI算力芯片供应链，市场空间十分广阔。

核心投资方向梳理：各环节投资价值存在明确差异，可重点关注三大方向：
a. 原片环节：国产突破弹性最大，是值得重点跟踪的核心环节；
b. 中游加工环节：国内TGV加工技术处于全球领先梯队，竞争优势突出；
c. 设备端：2027年进入订单与业绩集中兑现期，投资确定性较高。
当前AMD等海外厂商对国产玻璃基板供应链认可度较高、需求可见度极强，即便国内玻璃基板半成品未通过台积电进入NVIDIA产业链，也可切入其他自研算力芯片供应链。从布局时点看，2026年作为赛道元年布局性价比极高，年底海外需求催化将陆续释放，赛道长期发展空间广阔，属于高增长潜力的黄金投资赛道。

Q&A

Q：先进封装的发展历程及全球主流先进封装路线现状

A：先进封装向小型化与集成化发展，从传统DIP和QFP到BGA和CSP，再向2.5D、3D及SiP和SoC发展。全球主流方案由台积电、英特尔和三星主导：台积电主推CoWoS方案并布局SoIC等3D封装；三星主推COP方案；英特尔主推EMIB及Foveros方案。国内长电科技、通富微电、盛合晶微及华天科技等也在XDFOI、FCBGA、Smart Poser及SiP等先进封装技术上有深厚布局。

Q：玻璃基板在先进封装中的核心优势

A：玻璃基板的核心优势在于CTE热膨胀系数更加可控，能与PCB等下层材料更好吻合，有效解决大尺寸芯片发热导致的翘曲问题。此外，玻璃基板拉出即为方形，相比圆形硅片能降低面积浪费，量产后整体成本可同比下降20%至30%。同时，其在介电系数上的表现也优于硅中介层及有机载板，成为下一代先进封装核心方案的确定性越来越高。

Q：玻璃基板在先进封装中的主要落地场景

A：玻璃基板主要有四大落地场景：首先是Interposer中介层，替代有机或硅中介层，台积电CoWoS方案主要推进，放量取决于大尺寸面板良率、TGV与RDL工艺稳定性及海外AI客户意愿；其次是Glass Core玻璃芯层，替代ABF载板中的有机芯，京东方、蓝思科技、三星等主推，可行度高且性能提升显著；第三是Glass Carrier临时载板，作为先进封装耗材提供支撑并控制翘曲，技术壁垒相对较低；最后是CPO光通讯，玻璃基板结合玻璃桥及光波导技术，大幅降低CPO耦合难度，提高量产机会。

Q：玻璃基板产业链的良率卡点及现状

A：玻璃基板产业链上游原片主要采用康宁的高硼硅玻璃，国产化替代空间大。中游加工良率卡点主要在TGV玻璃通孔侧，国内头部厂商良率在35%至40%，主要因打孔易留细小裂纹；RDL重布线层良率已达90%及以上，但层数继续增加会影响整体良率。此外，AOI光学检测因玻璃高透明、低反射特性导致影像对比不足和缺陷辨识困难，需随量产线落地和原片数量增加来提升检测技术。

Q：海内外玻璃基板产业化进展及量产时间表

A：海外方面，英特尔技术达近30层，量产预计2030年左右；三星量产目标因TGV裂纹问题可能推迟至2028年一季度；台积电CoWoS中试线已建成，interposer方案预计2028年量产，substrate方案预计2030年；康宁推进glass bridge和CPO玻璃基板商业化验证；SKC进入样品评估阶段；三星电机良率约60%，最接近80%的量产起量标准。国内方面，京东方预计2027年一季度投决，2028年实现每月1.5万片产能；蓝思科技与英特尔合作，产品可达十几层；国内TGV良率已提升至40%，达50%即可建量产线。整体预计2028年为玻璃基板上量年份。

Q：国内玻璃基板产业链相关公司进展及投资时间节点建议

A：国内沃格光电掌握TGV全制程并实现小批量出货，深宽比达100比1，最小孔径5微米，1.6T光模块玻璃基板已完成送样；原片环节凯盛科技RDL可达六七层，彩虹股份达五六层，与海外差距缩小，力诺药包等在高硼硅玻璃技术积累深厚。投资节点方面，2026年为玻璃基板元年，是布局的好时机；2027年头部厂商将为量产线准备并下发设备订单，2027年上半年设备端订单和业绩将兑现；原片端国产突破弹性最大，国内供应链有望打通国内AI算力芯片需求并进入海外产业链。

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