1、AI驱动存储需求新趋势

SSD在AI推理场景应用趋势：近期存储板块表现亮眼，除闪迪即将纳入标普100指数的催化外，美光等其他存储标的同样表现突出，核心驱动来自AI产业爆发带来的需求变化。当前GP6、Vivo5等长任务模型涌现，未来将出现多AI并行运行的产业趋势，市场对NAND行业的推理使用需求持续上升。多AI并行运行场景下产生的KV cache量较此前大幅增长，规模庞大的KV cache无法全部存储于HBM中，存储容量缺口凸显。当前海外已开始关注SSD未来进入AI推理环节的可能性，行业惯例显示AI数量与SSD需求基本呈正相关，当KV cache量足够大时，AI数量与所需SSD量也呈正相关，无法存储于HBM的KV cache都可能放到SSD中，SSD后续有望逐步成为AI推理的重要存储环节，这是当前存储产业地位上升的核心趋势，主要基于未来GP6、Vivo5等长任务的发展前景。

2、海外存储行业动态分析

韩系存储赴美建厂进展：美国对韩国存储厂商的核心诉求为赴美建厂，此前韩国存储行业面临美国较大施压，若韩系存储落地美国建厂，相关施压将告一段落。当前相关传闻主要分为两类：一是海力士与英特尔的合作传闻，虽有部分辟谣，但合作方式暂未确定，包含海力士租用英特尔俄亥俄晶圆厂设施改造为存储产能、双方与云厂成立合资企业扩产两种可能；二是海力士拟在纽约州北部投建NAND工厂。无论选择新建厂房还是改造现有产能，都将新增大量半导体设备需求，首当其冲受益的是拉姆研究，其次为应用材料、科磊。参考此前台积电赴美建厂的情况，若海力士落地美国建厂，美韩利益将达成一定妥协，美国后续对韩国存储的打压概率将明显降低，有助于存储板块后续估值回升。

存储涨价趋势验证：当前传闻苹果愿意接受三星的存储报价，报价分阶段上涨的具体节奏为：三星存储明年一季度报价较今年三季度涨幅30%-40%，四季度涨幅为15%-20%，明年后续再涨15%-20%。苹果接受涨价的信号印证存储涨价趋势明确，仅涨幅较此前预期略有收窄。当前消费电子端客户对存储涨价的容忍度处于较高水平，服务器厂商的涨价容忍度比消费电子客户更高，对存储涨价的持续性形成较强支撑。

海外存储行业趋势判断：陈立武指出，当前AI基建的瓶颈已经从GP转向存储，该表态侧面印证英特尔有介入存储赛道的可能，海力士与英特尔的合作大概率将继续推进，仅合作形式、合作规模目前暂未完全确定。整体来看，只要韩国存储厂商按美国要求完成赴美扩产，美国对韩国存储的打压就将阶段性告一段落，后续存储行业的盈利确定性、估值修复逻辑都将得到明显支撑。

3、国内存储行业发展机遇

国产HBM替代需求：当前海外存储需求持续加速，全球存储行业竞争加剧，韩系HBM成为海内外厂商争夺的核心资源。国产算力增长的核心瓶颈在于HBM供给充足度，海外ASIC厂商HBM需求较高，其中英伟达等海外厂商拿到的HBM配额相对更多，进一步推高国产HBM需求，国内突破HBM技术的重要性凸显，后续需重点关注国产HBM3、HBM3E的量产进度及推进情况。

利基存储市场机遇：除传统HBM需求快速增长外，利基存储的涨价幅度更高。核心原因是大量原厂已退出利基存储市场，供需失衡推动其价格上涨速度更快，这一趋势对国内存储厂商形成明显利好。叠加国产HBM市场缺口较大的背景，国内存储整体需求将明显上升。

存储扩产带动设备需求：AI发展拉动SSD需求增长，国内原有主营DRAM、NAND的厂商已出现布局相关领域的迹象，未来国内存储厂商有望效仿海外三星、海力士的发展路径，实现HBM、DRAM、NAND等产品线的协同全覆盖。若长鑫、长存等国内存储厂商推进全产业链布局，将大幅拉动半导体设备需求：一方面HBM需求增长推动存储厂扩产，另一方面存储厂交叉扩产也将新增更多设备需求，其中刻蚀设备需求增长更为强劲，核心受益标的包括中微、北方华创。

4、存储产业链投资建议

存储产业链投资方向：当前市场对NAND的观点正发生变化，受GP6Fable相关算力任务需求拉动，需求已蔓延至SSD领域，利基存储的需求及价格上涨速度更快，基于这一行业趋势，可重点关注存储及半导体设备赛道相关标的：
a. 海外存储标的可关注海力士、三星、美光、闪迪，海外半导体设备标的可关注拉姆研究、应用材料、科磊；
b. 国内存储标的可重点关注长鑫，国内半导体设备标的可重点关注中微、北方华创。

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