登录路演时代
忘记密码
忘记密码
忘记密码
欢迎注册路演时代
已有账号?马上登陆
国海电子 华为发布韬(τ)定律,中国半导体的“DeepSeek时刻”
发布来源: 路演时代 时间: 2026-05-27 15:49:45 0

1、韬定律核心内涵与产业影响

事件背景与市场反应:华为发布韬(τ)定律,实现半导体技术新突破,相关内容后续经人民日报锐评转载后热度有望进一步提升,锐评核心观点为半导体迎来韬(τ)定律,中国定义将改写世界半导体产业格局。事件发酵后,昨日下午A股开盘,国内半导体代工龙头中芯国际华虹公司,以及多家半导体设备供应商股价应声上涨。尽管市场已出现即时热烈反应,但当前市场对本次事件的深远影响仍存在明显低估。本次技术突破对于长期面临先进制程卡脖子问题的中国半导体产业而言,具备里程碑式意义,堪比此前大模型领域DeepSeek横空出世的行业影响,是国内半导体产业突破EUV光刻机技术限制、N+3制程重复曝光良率物理极限等制造瓶颈的重要跨越。当前时点,中芯国际华虹半导体等国产Fab龙头,中微公司北方华创拓荆科技芯源微华海清科等国产设备板块标的是受益最直接的重点加配方向,EDA软件、先进封装、芯片设计、先进存储环节龙头也值得重视。

韬定律技术原理与核心逻辑:传统半导体产业发展长期遵循摩尔定律,核心是通过光刻机、刻蚀机等核心设备缩小晶体管体积与间距,依靠物理尺寸缩小提升产品集成度,实现18-24个月晶体管集成度提升一倍、单位面积算力翻番的迭代节奏。当前摩尔定律已逼近物理极限,单晶体管成本不降反增,设计难度持续加大,传统几何维缩路线边际效益持续递减。
(τ)本身是物理学中代表时间常数的希腊字母,华为提出的韬(τ)定律核心为以
时间维缩替代几何维缩,不再以单一的纳米制程作为衡量芯片和系统进步的核心指标,转而将完成任务的总时间作为最核心衡量标准,是更具系统性的设计思路。该定律不局限于物理加工层面优化,而是通过梳理芯片实现任务的全逻辑链条,拉近结构或拓扑层面的时空距离,而非单纯缩小工艺制程、压缩空间传输距离。
技术实现层面,传统芯片采用平面设计,底层为晶体管和逻辑门,上层为复杂立体互连结构,逻辑门之间依靠长导线连接,先进制程仅能同比例缩小整体距离,无法优化逻辑门的互连关系。韬定律通过
逻辑折叠技术放弃平面设计方案,将晶体管、逻辑门等逻辑层改为多层结构,类似盗梦空间的城市翻转形态,大幅缩小互连间距,逻辑层之间通过混合键合技术实现通信。该技术路线对芯片产业提出全栈软硬协同要求,覆盖芯片设计软件(EDA)、芯片架构、代工流程全环节,与代工、先进封装环节的关联紧密度极高。

韬定律的产业价值与意义:(τ)定律并非停留在理论层面的创新,目前已完成实践验证:华为过去6年已成功设计并量产381款基于相关技术的芯片,2026年秋即将面世的麒麟芯片将是逻辑折叠技术在智能手机、高端消费电子领域的首次成功应用;华为预计2031年基于τ定律的高端芯片晶体管密度可达到等效1.4纳米制程的同等水平,是中国乃至世界半导体产业的重要系统性创新,标志着中国半导体迎来突围时刻。
本次技术突破不仅解放了未来高端算力芯片的量产能力,更证明国内科技产业已实现从实践创新到引领理论创新的跨越,具备跻身世界产业前排的实力,为中国科技产业深度参与并引领AI创新浪潮提供了核心底气与支撑。2026年是中国科技走向全面燎原的收获之年,此前2019年开启的创新周期中,中国已有诸多科技产业在全球崭露头角,华为、中兴曾一度引领5G创新周期开启与标准制定,本次韬定律发布是中国再度定义半导体产业技术标准的重要标志。在国内工程师红利支撑、科创板推出以来人财物快速积累的背景下,中国半导体在本轮AI创新周期中的全球竞争力持续提升,正在迎来全球范围的重新认知,板块将迎来系统级估值提升,本次事件的影响并非短期行情能够充分反映,具备长期投资价值。


2、晶圆厂与先进封装投资逻辑

晶圆厂投资核心逻辑:华为新技术发布前,晶圆厂投资分为三个层次:a. 成熟制程:国内晶圆厂当前演绎AI驱动的量价齐升行情;b. 先进制程:核心为设计与制造协同,实现1+1>2的效果;c. 先进封装与光子协同:属于算力新物理基座,不能单纯视为代工业务。目前国内晶圆厂处于第二阶段的先进制程发展期,第三阶段的先进封装、微光等方向国内尚未形成交易逻辑,海外联电、Global Foundry已在重点布局。国内晶圆厂整体被看好,核心标的包括中芯国际、华虹,配套标的有灿芯股份。华为新技术发布后,最需重视中芯国际,给予强科级别,建议紧紧抱紧。本次技术的核心突破为(τ)定律打开了中国先进制程上限,此前市场预期国内先进制程仅能达到5纳米,现在通过设计与晶圆厂协作可实现3纳米或等效1.4纳米,未来还能向更先进制程突破。

核心晶圆厂标的估值分析:中芯国际是(τ)定律技术路线最大最直接的受益者,本次逻辑转变是其历史上最重大的一次。此前中芯国际历次股价变动均由格局改善类因素驱动,如华为退出晶圆厂业务、良率预期变化等,影响程度远低于本次。估值体系方面,老式估值基于7纳米制程,市场普遍认为1万片7纳米产能对应1000亿市值,中芯国际规划15万片7纳米产能对应1.5万亿,叠加成熟制程主业2000-3000亿,总估值为1.8万亿。新估值体系下,中芯国际覆盖代工与封装核心环节,可向更先进制程延伸,产能对应的市值估值提升至1万片对应2500亿,短期市值有望主升看2万亿,中长期可对标台积电1/3市值,看4-5万亿,不存在实质性障碍。其他核心晶圆厂及配套标的方面,华虹半导体持续被推荐,市值空间较大,其华力产线的先进制程产能、良率表现均好于市场预期,市值仍有上行空间。灿芯股份为中芯国际配套服务商,主要为互联网公司提供AC及流片服务,帮助中小客户对接中芯国际流片渠道,其N+1制程CPU相关产品已量产2027年N+2制程将量产,客户覆盖阿里及多家头部互联网厂商,价值将在国产算力领域逐步体现。

先进封装板块投资逻辑:先进封装板块核心受益于CoWoS相关需求增长,华为相关芯片主要由中芯国际内部封装,板块整体为平铺式投资逻辑,全产业链受益。核心标的测算如下:a. 长电科技:市场通用测算标准为1万片CoWoS产能对应700亿市值,今年底长电科技CoWoS产能将达1万片,叠加主业600-700亿价值,对应总市值1400亿2027年CoWoS产能有望翻倍,对应市值可看2000亿b. 永新电子:去年1月已被推荐,核心逻辑为五线片超薄业务叠加原有主业,目标市值450亿,仍有较大成长空间。c. 通富微电:具备AMD CPU封装核心逻辑,同时承接国产算力GPU封装业务,投资价值明确。


3、半导体设备板块投资逻辑

原有扩产逻辑与订单预期:韬定律发布前,半导体设备板块核心投资逻辑围绕存储环节乐观扩产预期展开。国内半导体设备公司下游客户主要分为存储、先进逻辑、成熟逻辑三类:成熟逻辑年资本开支变化不大,先进逻辑扩产量、国产化率稳步提升,订单同比增速平稳,因此此前市场关注点集中于存储板块的扩产弹性。供需层面,全球AI产业对存储的需求拉动无明确上限,国内存储、逻辑类晶圆厂产能全球占比不足10%,但半导体需求占全球三分之一,因此具备逆周期扩产必要性,且当前国内逆周期扩产与全球存储周期上行共振,今明两年存储扩产确定性极强。核心扩产数据方面,去年(2025年)武汉、合肥两大存储客户合计扩产约8万片今年(2026年)两家扩产量至少达12万片,同比增长50%,其中武汉客户因制程升级单万片设备投资额提升,合肥客户因国产化率提升同等设备开支下对应订单增长,整体呈现量价齐升态势;明年(2027年)两家合计扩产量有望达20万片以上,扩产及设备订单增速将较今年进一步加快。估值层面,半导体设备板块牛市行情下估值中枢为10倍PS,对应稳态20%净利率下的50倍PE,与板块50%的业绩增速齐平,PEG=1,符合成长股估值逻辑;按明年订单测算,华创、中微、拓荆等大票当前仍有30%-50%的上涨空间,尚未计入远期泡沫化阶段的估值溢价。复盘2020年行情规律,当年大盘机构牛市叠加半导体上行周期、中芯国际上市,中微等设备股股价提前反映了未来6年的订单空间,历史经验显示,半导体设备上行周期叠加大盘牛市时,股价顶点会对应未来5-6年的终局市值,而非短期订单可测算的空间,当前板块短期订单对应的上涨空间尚未完全兑现,远期弹性更为可观。

韬定律带来的增量空间:韬定律发布直接打开国内先进制程扩产上限,核心逻辑为无需先进EUV光刻机,依托现有光刻机、重复曝光技术,叠加3D或hybrid bonding封装方案即可突破原有物理极限,实现等效3纳米甚至1.4纳米的先进逻辑芯片生产,打破此前市场对先进制程的产能限制预期。此前市场仅对国内存储芯片发展有乐观展望:武汉客户的NAND芯片接近全球第一梯队,合肥客户的DRAM芯片落后全球两代左右,存储扩产可优先满足国内三分之一的需求,NAND芯片性能追平海外龙头后有望进一步向海外供应,成为像面板一样中国占据主导份额的优势行业。韬定律发布后,市场预期逻辑芯片同样可在满足国内三分之一需求的基础上向全球供应,未来中国逻辑芯片代工产能有望占全球50%以上,进一步打开设备板块长期成长空间。除设备板块的普遍贝塔行情外,先进封装相关设备迎来额外增量需求,涉及混合键合、电镀、减薄等环节;同时国产浸没式DUV光刻机配合先进封装即可生产等效先进制程芯片,将利好国产光刻机未来放量。

核心设备标的推荐:当前半导体设备板块核心推荐标的分为先进封装相关设备、国产光刻机产业链两类:a. 先进封装相关设备标的:混合键合环节核心标的为拓荆科技,是该领域业务布局较多的上市公司;电镀、抛光环节核心标的为盛美上海华海清科,直接受益于先进封装环节的资本开支增量。b. 国产光刻机产业链标的:韬定律打破先进制程对EUV光刻机的依赖,国产浸没式DUV光刻机配合先进封装即可实现等效先进制程芯片扩产,利好产业链放量,核心标的包括:茂莱光学是国内光刻机物镜领域绝对龙头,参与配合EUV级别晶片研发,产业链标签属性突出;博创科技为国产光刻机产业链核心配套标的;汇成真空主业为光刻镜片镀膜设备,属产业链稀缺标的,将充分受益于国产光刻机渗透率提升。


4、存储板块投资逻辑

韬定律对存储的赋能逻辑:韬定律对存储行业具备强赋能作用,存储芯片的容量、性能很大程度取决于裸片对接能力与封装形式,此前行业采用传统封装工艺,对接层数上限较低。华为近期推出DUB(Diam Board板上裸片封装)技术,是韬定律在存储芯片领域的具象化实践,该技术跳过传统芯片封装流程,直接将NAND裸片焊接到PCB电路板上,依托三维堆叠技术提升存储芯片对接层数,存储密度较传统方案实现大幅提升,目前已推出TB级超大容量ESSD产品,将推动存储芯片向更先进制程突破,缩短国内存储厂商与海外大厂的技术差距。其次,韬定律倡导的全栈协同理念与存储产业链升级方向高度匹配,后续存储不再被视为独立零部件产品,而是将主控、接口、封装工艺一体化统筹设计,推动上游芯片、中游封测、下游SSD、企业级ESSD产品同步向高密度、低延迟方向迭代,全面提升国产存储全链条技术能力。最后,存储与逻辑芯片通过混合键合实现3D堆叠合封的技术路线具备广阔应用空间,目前国内长鑫、兆易等厂商已推出相关3D堆叠定制化存储产品,未来在端侧、云端推理侧均有可观市场空间;若后续国产逻辑芯片能在国内Fab厂实现流片突破,将直接利好3D堆叠存储方案的开发、客户拓展与应用落地,该方向具备长期关注价值。

利基存储供需格局分析:当前利基存储市场已呈现明确的供需错配格局,是存储超级周期下的核心受益赛道之一。供给端来看,全球存储大厂为匹配AI产业发展需求,将研发及产能资源重点投向高阶AI相关存储芯片,在整体存量产能有限的背景下,主动加速利基型存储芯片产能的退出,以保障主流AI存储芯片的供应能力,导致利基存储供给侧出现明显的行业性收缩;而目前台系及大陆二梯队厂商在利基存储领域的新增产能释放十分有限,完全无法弥补海外大厂退出带来的供给缺口。需求端来看,车规、工控等长尾应用市场DDR4、DDR3等利基型存储产品的迭代需求较低,需求具备长期刚性,暂无明显向高端存储转移升级的迹象。供需两侧共同作用下,2026年利基型存储仍将维持供不应求状态,且供需缺口将持续扩大,产品价格将维持上涨趋势,相关布局厂商将充分受益于量价齐升的行业红利。

核心存储标的推荐:当前存储板块核心推荐标的包括兆易创新与北京君正,两家厂商均具备明确的业绩弹性与成长空间。其中兆易创新作为国产利基存储龙头,核心竞争优势突出:一是利基存储业务充分受益行业超级周期,公司产品矩阵覆盖Nor Flash、SoC NAND Flash、平面DRAM等利基型存储产品,产品技术水平、产能保障能力均处于行业第一梯队,将充分享受利基存储量价齐升的红利,业绩上修空间较大;二是公司与长鑫合作开发的定制化3D堆叠存储产品进展顺利,2026年下半年到2027年将陆续落地具体项目、客户及应用场景,技术层面获国内外客户高度认可,未来市场空间广阔。北京君正是存储板块另一核心标的,公司在3D DRAM堆叠技术方向持续布局,进度虽稍滞后于兆易创新,但在汽车等行业级存储市场具备深厚的技术沉淀,技术实力不输兆易创新,后续随着3D堆叠存储应用场景的逐步开放,公司将迎来较大的业绩弹性,具备较高的关注价值。


5、功率半导体板块投资逻辑

碳化硅需求核心逻辑:功耗提升带动电源持续升级成为产业刚需,这一需求直接传导至上游大功率功率器件端,是近期国内外资本市场及产业层面对碳化硅关注度显著提升的核心原因。当前800V HVDC渗透率正随产业技术升级与下游需求提升逐步落地,该应用方案对功率器件的耐压要求达1200伏以上,这一电压、功率段下传统硅基产品存在明显物理性能极限,因此碳化硅产品的使用将逐步成为刚需趋势。随着800V HVDC及后续SST渗透率的持续提升落地,碳化硅产品的刚需属性将进一步凸显。从碳化硅全产业链来看,目前制约行业发展、同时价值量最高的核心环节为碳化硅衬底环节。

碳化硅衬底环节投资逻辑:当前国内天岳先进已在碳化硅衬底领域跻身全球龙头,近年成长速度、市占率提升速度均远超市场预期,目前已稳坐全球第一位置,在整体市占率、营收规模、技术储备、大尺寸化布局方面,其8英寸、12英寸产品布局均全面领先同业友商,在衬底这一全产业链价值量最高、技术难度最大的环节充分证明了自身技术实力。随着后续行业渗透率持续提升、下游需求逐步打开,碳化硅行业将迎来类似2020-2021年新能源爆发带来的增量市场机会,其产品推出、应用端拓展落地的节奏与当年新能源爆发带动增量需求增长的趋势高度相似。上一轮新能源产业爆发直接带动了硅基IGBT、硅基MOS等硅基功率器件的需求增长,当前800V HVDC、SST等高电压、高可靠性应用场景的普及,为碳化硅带来了刚需性的历史性发展机遇,技术端升级也将推动碳化硅产品成本明显优化。2026年是碳化硅在服务器领域渗透率大幅提升的关键节点,天岳先进是该环节卡位最优、技术能力最强的核心推荐标的。

碳化硅器件环节投资逻辑:当前国内碳化硅器件环节仍处于爆发前夜,全球市场主要由海外老牌功率半导体大厂主导,海外服务器电源厂商的功率器件供应基本依赖英飞凌、安森美、Wolfspeed等企业,这类企业在技术、产能储备上均处于相对领先位置。但类比硅基功率半导体的发展路径,2020年之前国产硅基功率半导体市场仍由海外大厂占据主要份额,仅用短短几年,国产硅基功率半导体市场份额就实现显著提升,抢占了大量海外厂商份额,充分证明了国产功率半导体技术进步的巨大潜力。尽管当前碳化硅器件环节仍较多依赖海外大厂,但参考硅基功率半导体的国产替代经验,国产碳化硅器件有望在未来5年内涌现出多家具备充足技术储备、在服务器领域达到全球领先地位的企业。目前国内多家企业正积极推进碳化硅产品的技术开发、产能建设、产业链协同及客户端验证,已有硅基功率半导体业务技术积累的企业具备know-how传承优势,核心关注新电能、斯达、东微、杨杰、华润微等已在硅基功率领域取得较好成绩的标的,其碳化硅业务有望成为第二增长极,当前正处于爆发前夜。


Q&A

Q:韬定律的核心内容与技术路径是什么?

A:韬定律通过时间维缩替代几何维缩,以完成任务所需时间为核心指标,突破传统摩尔定律依赖物理尺寸缩小的路径。其技术路径采用逻辑折叠与多层结构设计,将晶体管与逻辑门构建成立体互连结构,通过混合键合优化逻辑门间通信距离,实现系统级软硬协同设计,不再单纯依赖先进光刻设备缩小晶体管间距。

Q:韬定律对中国半导体产业的战略意义及实践验证情况如何?

A:该定律突破了EUV光刻机限制与重复曝光良率物理极限等卡脖子瓶颈,解放高端算力芯片量产能力,标志中国科技产业从实践创新迈向理论创新引领。华为已基于该技术在过去六年成功设计量产381款芯片,麒麟芯片将于今年秋季在智能手机高端消费电子领域首次应用;华为预计2031年基于τ定律的高端芯片晶体管密度可达1.4纳米制程同等水平。

Q:韬定律发布后,哪些半导体板块与标的被列为直接受益方向?

A:国产Fab龙头、设备板块、EDA软件、先进封装、芯片设计及先进存储环节龙头均被列为重点受益方向。其中中芯国际被强调为最大最直接受益者,因其同时承担芯片代工与3D封装环节。

Q:晶圆厂当前投资逻辑分为哪几个层次?国内进展如何?

A:投资逻辑分三层:第一层为成熟制程,演绎AI驱动的量价齐升行情;第二层为先进制程,体现设计与制造协同的一加一大于二效果;第三层为先进封装与光子协同,构成算力物理新基座。国内晶圆厂目前主要处于第二层次,先进封装环节尚未被充分交易,而海外联电、格罗方德已在第三层次积极布局。

Q:中芯国际在韬定律下的核心投资逻辑与估值体系变化是什么?

A:韬定律打开中国先进制程上限,使中芯国际可通过设计与制造协同实现等效1.4纳米或更先进水平;其为τ定律技术路线最大受益者,芯片代工与3D封装均可在内部完成;逻辑转变被视作历史上最重大,估值体系从基于7纳米转向基于1.4纳米,短期目标20000亿市值,中长期具备向台积电三分之一市值交易的基础。

Q:除中芯国际外,Fab与先进封装环节还有哪些重点标的及逻辑?

A:华虹半导体市值空间较大,华力先进制程良率优于预期;灿芯股份配套中芯国际为互联网公司流片,CPU相关产品N+1已量产、N+2计划明年量产,客户含阿里等;先进封装环节中,长电科技2024年底CoWoS产能预计达1万片,2025年有望翻倍;永新电子、通富微电亦被推荐。

Q:半导体设备板块在韬定律发布前的核心逻辑与扩产数据如何?

A:设备板块此前主要反映存储扩产与全球周期共振逻辑:武汉、合肥两大存储客户2023年合计扩产约8万片,2024年预计12万片,2025年有望达20万片以上,叠加制程升级与国产化率提升实现量价齐升。按明年订单测算,头部设备公司仍有30%-50%市值空间,且历史行情显示股价常提前反映5-6年后终局市值。

Q:韬定律对半导体设备板块带来哪些增量机会与标的推荐?

A:定律突破光刻瓶颈,使浸没式DUV配合先进封装可生产等效先进制程芯片,打开国产设备放量空间。先进封装环节带来混合键合、电镀与抛光等设备增量需求;同时利好国产光刻产业链,推荐茂莱光学、福晶科技。

Q:韬定律如何赋能存储行业技术升级与产业链协同?

A:定律推动存储芯片采用三维堆叠与板上裸片封装技术,跳过传统封装流程将NAND裸片直焊PCB,显著提升对接层数与密度,华为已推出TB级ESSD产品。同时推动存储产业链向全栈协同升级,主控、接口、封装工艺一体化设计,促进高密度、低延迟产品迭代,并缩短与海外大厂技术差距。

Q:逻辑芯片与存储芯片合封的应用前景及国产化进展如何?

A:长鑫与兆易创新合作的3D堆叠定制化存储产品通过混合键合与逻辑芯片封装为一体,在端侧与云端推理场景具备应用潜力。若国产Fab厂成功流片晶晨、瑞芯微等高端SoC,将直接推动国产定制化存储方案客户拓展与落地,预计2026-2027年有具体项目在国内外大厂实现验证。

Q:兆易创新在当前存储周期中的核心投资逻辑是什么?

A:作为国产存储设计龙头,兆易创新利基型存储深度受益于存储超级周期:海外大厂退出利基市场导致供不应求,而车规、工控等长尾需求稳定;公司产品矩阵齐全、技术与产能保障能力强,业绩弹性显著。定制化存储业务预计2026-2027年在国内外大厂项目中落地,打开长期成长空间。

Q:碳化硅板块的投资逻辑与重点标的有哪些?

A:算力提升带动800V HVDC等高电压应用场景普及,对1200V以上功率器件形成刚性需求,碳化硅替代硅基成为趋势。天岳先进在衬底环节全球领先,技术、市占率及8/12英寸布局全面占优;硅基功率龙头凭借技术积累与know-how传承,正积极布局碳化硅器件,有望在服务器等领域实现国产突破,迎来第二增长曲线。

  温馨提示:内容源于第三方以及公开平台,仅供用户参考,恕本平台对内容合法性、真实性、准确性不承担责任。如有异议/反馈可与平台客服联系处理(微信:_LYSD_)。