HBM 交流纪要

一、HBM 价格趋势及产品供需情况

涨价周期与产品分化：存储周期自 2025 年 9‑10 月启动，HBM 涨价节奏晚于传统 DRAM 和 NAND，于 2025 年 11 月开始较大幅度增长。当前涨价主要集中于 HBM3 和 HBM3E，HBM4 因刚量产暂未涨价，HBM2E 需求较弱且接近生命周期尾部，价格未明显上涨。后续涨幅预测：2026 年 Q2 HBM 价格预计环比 Q1 上涨 54%，Q3 环比 Q2 上涨 30%，涨幅呈收敛趋势但价格绝对值持续上升。需求驱动因素：GPU、TPU 等算力芯片对 HBM 容量需求显著提升，具体体现为单个 GPU 搭载 HBM 数量从 6 颗增至 8‑10 颗，堆叠层数从 8 层提升至 12‑16 层；而单个 die 容量提升已达极限（3GB 以上难度大），进一步推高 HBM 需求。

二、HBM 供需缺口及产能扩产情况

供需缺口现状与预期：当前 HBM 缺口小于传统 DRAM，但 2026 年需求增速达 40%‑50%，供需缺口将扩大。2025 年全球 HBM 产能（三星 14 万片 / 月、海力士 15 万片 / 月、美光 3.6 万片 / 月，合计 32.6 万片 / 月）可对应约 1000 万张 GPU 板卡，与 2025 年需求基本匹配；2026 年需求增长将导致缺口。扩产方式与节奏：HBM 扩产有三种方式：新建厂房（1.5‑2 年，2027 年中后释放产能）、现有厂房增设备（6 个月，当前已满负荷无法实施）、转产（3‑4 个月，因传统 DRAM 毛利率接近 HBM，转产停滞）。2026 年扩产有限，预计三星和海力士各扩产 4 万片 / 月，美光扩产 7 万片 / 月，产能于 2026 年 8‑9 月释放。

三、HBM 技术研发进展与竞争格局

技术路线与下一代方向：HBM 已发展至第六代 HBM4，三星、海力士、美光均通过英伟达验证（美光 2026 年 5 月初，三星和海力士 2025 年 11‑12 月）。当前技术路线分化：三星和美光采用 TCB‑NCF（热压焊，精度高、效率低、翘曲控制好），海力士采用 MR‑MUF（回流焊，效率高、精度低、翘曲累积），两种工艺各有优劣，良率差异源于综合技术能力而非单一工艺。下一代技术将转向 Hybrid Bonding（混合键合），以满足 TSV 孔径和间距缩小的精度需求，需解决散热（高导热 EMC、铜镍溅射）和堆叠高度（芯片减薄）问题，目前逐步突破。竞争格局演变：2025 年海力士市占率超 60%，HBM4 后预计形成 “4:3:2” 格局（海力士 40%、三星 35%、美光 25%）。美光因直接开发 HBM3E/4，性能指标领先且具备美国企业优势，市占率有望从不足 10% 提升；三星凭借晶圆代工 + DRAM+NAND 综合解决方案，吸引英伟达等客户，份额稳定。

四、国内存储厂商竞争影响分析

产能与技术差距：国内两厂（长鑫、长江存储）传统 DRAM 和 NAND 产能占全球 10%‑12%，扩张速度快，产能层面已形成一定冲击。但技术差距显著：DRAM 差三代（长鑫 D1Z 15.8nm vs 国际 D1 伽马 10nm），NAND 差两代（长江 V8 236 层 vs 国际 V10 400 层），暂无冲击中高端市场能力。未来竞争预期：预计 2028 年国内厂商技术差距缩小至 1‑1.5 代，届时或对市场形成实质性冲击。

五、DRAM 与 NAND 价格趋势及产能调整

价格趋势：2026 年下半年 DRAM 和 NAND 价格继续上涨，Q3 涨幅收窄至个位数（DRAM 约 9%，NAND 约 7%），Q4 或持平。产能调整与供需缓解：后两种扩产方式（现有厂房增设备、技改）贡献 DRAM 13 万片、NAND 15 万片，缓解需求；云厂商（Google、Meta 等）库存上升，overbooking 减弱，供需缺口收窄。转产和停产节奏放缓，因传统 DRAM 毛利率接近 HBM，企业转向新建产能而非转产 HBM。

六、存储行业长协签订情况

长协签订现状：2026 年 4 月底起，原厂与数据中心厂商（Google、Meta、Microsoft、AWS 等）签订 2‑3 年长协，占合约价 60%‑70%；消费电子、汽车电子因产能不足未签订长协。合约条款与约束：长协最短 1 年，最长 3 年，无半路取消情况；卖方市场下，原厂要求买方预付 40% 预付款，约束违约行为。

Q&A

Q1: HBM 的涨价始于何时？预计后续涨价幅度如何？不同产品（如 HBM2、HBM3、HBM3E）在过渡阶段的供需缺口情况怎样？

A1:HBM 的涨价节奏中，传统 DRAM 和 NAND 于 2025 年 9‑10 月开始上涨，HBM 则在 2025 年 11 月开始较大力度增长，主要因前期涨价节奏快后停滞，后随传统存储产能吃紧、HBM 产能未被优先倾斜导致短缺。当前 HBM 已发展至第六代产品（HBM4），但 HBM4 刚量产暂未涨价，主要涨价产品为 HBM3 和 HBM3E；HBM2E 和 HBM2 因需求较弱且接近寿命周期尾部，基本未上涨。预计后续涨幅方面，2026 年 Q2 相对于 Q1 HBM 价格涨幅可达 54%，Q3 对比 Q2 约 30%，涨幅呈收敛趋势但价格绝对值仍上升。供需缺口方面，2025 年 HBM 产能（三星 14 万片 / 月、海力士 15 万片 / 月、美光 3.6 万片 / 月，合计 32.6 万片 / 月）可对应约 1000 万张 GPU 板卡，与 2025 年需求基本吻合；但 2026 年需求增速达 40%‑50%，叠加单个 GPU 所需 HBM 数量（从 6 颗增至 8‑10 颗）及堆叠层数（从 8 层升至 12‑16 层）提升，导致供需缺口放大。

Q2: 预期 HBM 后续的涨价幅度有多大？是否有相关预测？

A2: 预计 HBM 后续涨幅较大，2026 年 Q2 相对于 Q1 价格涨幅可达 54%，Q3 对比 Q2 约 30%，涨幅呈收敛趋势但价格绝对值仍将上升。

Q3: 去年三星、海力士、美光的 HBM 产能与下游算力芯片需求是否基本匹配？2026 年 HBM 供需缺口放大的原因是什么？当前 HBM 供需缺口是否比 DRAM 和 NAND 更大？

A3:2025 年 HBM 产能（三星 14 万片 / 月、海力士 15 万片 / 月、美光 3.6 万片 / 月，合计 32.6 万片 / 月）可对应约 1000 万张 GPU 板卡，与 2025 年需求基本吻合。2026 年供需缺口放大的原因包括：一是 GPU、TPU 等算力芯片对 HBM 容量需求提升，单个 GPU 所需 HBM 数量从 6 颗增至 8‑10 颗，堆叠层数从 8 层升至 12‑16 层，且单个 die 容量提升受限，导致晶圆需求增加；二是 2026 年需求增速达 40%‑50%，而 HBM 扩产受限，新建厂房需 1.5‑2 年（2027 年中后期释放），现有厂房设备增加及转产均因满负荷无法实施。当前 HBM 缺口未及传统 DRAM 大，因传统 DRAM 需求爆发式增长且前期部分产能已转至 HBM，而目前传统 DRAM 毛利率接近 HBM，已无产能可转。

Q4: 各家原厂 HBM 的研发进展及最新产品量产计划如何？

A4:HBM 已发展至第六代产品（HBM4），三星、海力士于 2025 年 11‑12 月通过英伟达 HBM4 验证，美光于 2026 年 5 月初通过，三家均将为英伟达供货。技术路线上，三星和美光采用 TCB‑NCF（热压焊）工艺，海力士采用 MR‑MUF（回流焊）工艺，两种方法各有优缺点：TCB‑NCF 精度高、翘曲控制好但效率低，MR‑MUF 效率高但对准精度弱、翘曲累积。未来 HBM4E 及以后将转向 hybrid bonding（混合键合）技术，因传统工艺精度无法满足更高带宽、存储密度要求，目前散热（采用高导热 EMC 材料、溅射铜镍）和堆叠高度（减薄芯片）问题已逐步解决，技术核心掌握在设备厂家。竞争格局方面，预计 HBM4 开始市占率将形成海力士 40%、三星 35%、美光 25% 的结构，因三星凭借综合解决方案（晶圆代工 + 存储）、美光技术追赶及美国企业优势，逐步侵蚀海力士先发优势。

Q5: 2026 年 HBM 扩产节奏中，美光是否最为激进？目前三家原厂的扩产产能是否尚未释放？

A5:2026 年 HBM 扩产中，美光扩产最为激进，三星和海力士各扩产 4 万片 / 月，美光扩产 7 万片 / 月，预计 2026 年八九月份开始释放产能，年底完成。

Q6: 长江存储若后续推进 IPO 并增加资本开支，对海外原厂的冲击和影响如何？

A6: 长江存储等国内存储厂商对海外原厂的影响有限。当前国内厂商在传统 DRAM 和 NAND 产能上占全球 10%‑12%，扩张速度较快，已在产能层面形成一定冲击。但技术差距显著：DRAM 方面，长鑫当前技术为 15.8nm（D1Z），国际原厂已达 10nm（D1 伽马），中间差 D1 阿尔法（14nm）、D1 贝塔（12nm）三代；NAND 方面，长江存储可生产 236 层 V8，国际主流为 400 层 V10，中间差 296 层 V9 两代，因此暂无法冲击中高端及旗舰市场。预计 2028 年左右，若国内厂商追赶到技术差距为 1‑1.5 代时，将对市场造成显著冲击。

Q7: 站在 2026 年年中，如何看待 DRAM 和 NAND 下半年的涨价幅度？

A7:DRAM 和 NAND 在 2026 年下半年仍将继续涨价，但涨幅逐渐收窄。预计涨价持续至 Q3，Q3 涨幅为个位数（不足 10%），价格绝对值仍上升。原因包括：一是扩产后两种方式（现有厂房增加设备、技改转产）对 2026 年产能有贡献（DRAM 约 13 万片，NAND 约 15 万片），缓解部分需求；二是 Q3 左右云服务器厂商（Google、Meta、Microsoft、AWS 等）库存上升，overbooking 量减弱，供需缺口收窄。

Q8: 当前 CSP 大厂与存储厂商的长期协议（LTA）签订情况如何（因市场存在锁产能现象）？

A8:2026 年 4 月底开始，存储原厂开始与数据中心及云服务器厂商（如 Google、Meta、Microsoft、AWS）签订两年甚至三年期长协（LTA）。主要原因包括：一是预期未来涨幅收窄，原厂希望锁定市占率；二是长协可保障产能订单稳定性。预计后续 60%‑70% 的合约将为长协，消费电子、汽车电子等领域因产能不足，暂无法签订长协。

Q9: 当前 LTA 签订的最短和最长期限分别是多久？

A9: 当前 LTA 签订最短期限为一年，最长期限为三年。

Q10: 是否存在已签订长协后半路取消的情况？

A10: 目前未出现长协半路取消的情况。此轮周期为卖方市场，原厂要求买方预付约 40% 预付款，约束了买方违约行为。

Q11: 2025 年三季度计划的 DDR4 停产转 DDR5 及 DRAM 转产 HBM 的节奏是否有所放缓？因 DRAM 需求紧缺，转产和停产节奏是否均放缓？

A11:DDR4 停产转 DDR5 及 DRAM 转产 HBM 的节奏已放缓。因当前各领域存储均紧缺，且传统 DRAM 毛利率已接近 HBM，原厂不再将传统 DRAM 产能转产至 HBM，仅通过新建产能扩充 HBM 产能。

Q12: 预计 2026 年下半年 DRAM 和 NAND 的价格涨幅分别是多少？

A12: 预计 2026 年 Q3 DRAM 合约价格涨幅约 9%，NAND 合约价格涨幅约 7%；Q4 价格可能持平，不再上涨。

Q13: 上述价格指的是合约价格，还是综合散单与合约的价格？

A13: 上述价格指的是合约价格。

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