存储行业专家交流

一、存储行业涨价趋势及核心驱动因素

存储行业自 2024 年行业整体亏损、通过减产去库存后，于 2025 年进入涨价周期。2025 年第一季度，行业迎来第一波温和涨价，涨幅 20%-30%，主要受美光、三星、海力士减产保价推动；第二季度起，AI 服务器订单明显放量，合约价季度涨幅维持 20%-30%；2025 年 7 月至 12 月，存储器价格进入爆发式增长阶段，第三、四季度 DRAM 同比涨幅达 170%，NAND 涨幅约 20%，HBM 涨幅约 200%。

核心驱动因素包括：

需求端：AI 引爆结构性刚性长期增量，具体体现为 AI 服务器单台 DRAM 消耗量提升、GPU 对 HBM 的需求激增导致产能不足，以及企业级 SSD（37% NAND 用于企业级需求）和云厂商包年订单带来的供不应求。

供应端：高端存储（NAND、DRAM、HBM）由美光、三星、海力士三大巨头垄断，叠加地缘因素（如中美关系）及原材料涨价，进一步推升价格。

二、HBM、DRAM 和 NAND 的供需缺口及价格趋势

（一）供需缺口

HBM：缺口最大，2026 年约 50%-60%，2027 年预计降至 30%-40%，2028 年或进一步缩窄至 20% 以内，主要因产能被三大巨头优先布局，且技术门槛高。

DRAM：当前缺口约 5%，2027-2028 年预计降至 2%-3%，主要受 HBM 产能挤占影响，其中 DDR5 因技术迭代涨价，DDR4 因减产呈结构性调整。

NAND：缺口约 5%，2027-2028 年预计降至 2%-3%，技术难度较低但产能被 DRAM/HBM 挤占，缺口为结构性产能布局导致。

（二）价格趋势

HBM：因缺口最大，涨幅领先，但头部客户通过长协锁定产能，非长协客户或面临 “有钱难拿货” 局面。

DRAM：2026 年第一至第二季度预计涨 40%-60%，第三季度涨幅回落至 10%-20%，2027 年涨幅或降至 10% 左右。

NAND：涨价滞后于 DRAM，2026 年缺口 5%，2027 年 2%-3%，2028 年或饱和，涨幅随缺口收窄逐步放缓。

三、高端存储产品的制约因素

高端存储（尤其是 HBM）的供给受限主要来自技术、设备、材料三重制约：

技术层面：HBM 工艺复杂，需 3D 堆叠、通孔打制及高端键合，良率低（目前行业平均约 40%），且产品迭代快（HBM3→HBM3E→HBM4），客户对良率要求持续提升。

设备层面：HBM 生产依赖 EUV 光刻机，而阿斯麦（全球唯一供应商）年交付量仅十几台，交付周期 18-24 个月，产能上限明确。

材料层面：封装载板、高纯度硅片等关键原材料被少数企业垄断，供应链稳定性受限。

四、三星、海力士、美光的扩产思路

（一）美光

优先在本土扩产 HBM 及高端 DRAM，投资两个新晶圆厂；新加坡厂区定位 HBM 制造及 NAND 生产，通过新增产线及收购企业扩产；台湾厂区聚焦 DRAM 扩产。

（二）三星

全线扩产，目标追赶海力士 HBM 份额，同时扩大 DRAM 盈利周期及 NAND 产能，采用全产业链自主研发模式。

（三）海力士

聚焦 HBM 扩产（当前市场份额 52%），NAND 扩产较少，巩固 HBM 绝对领先地位。

五、HBM、DRAM、NAND 的市场份额

（一）HBM

海力士：52%-60%（英伟达锁定其 70% 订单）；三星：25%-30%（快速追赶，客户含英伟达、谷歌）；美光：18%-21%（排名第三，给英伟达出货约 20%）。

（二）DRAM

三大巨头合计占 95%：三星 36%-40%（第一），海力士 28%-30%（第二），美光 25%（第三，聚焦数据中心和 AI）。

（三）NAND

三大巨头合计占 60%：三星 27%-34%（第一），海力士 20%（第二），美光 10%-12%（第四，主攻企业级 SSD）。

六、存储厂商的优劣势及竞争格局变化

（一）优劣势

海力士：HBM 技术领先（HBM4 成熟交付），市场份额第一，但 NAND 扩产不足。

三星：DRAM 体量最大，全线布局，但 HBM 处于追赶阶段。

美光：HBM、DRAM 技术与前两者接近（DDR 技术对等），但份额较低。

（二）竞争格局

短期：强者恒强，HBM 领域海力士领先，三星、美光追赶，技术代差不大（HBM3E 为流量量产，HBM4 海力士先行）。

长期：若 DRAM/NAND 出现新应用（如车载 DRAM），或引发行业洗牌，企业可通过调整产品结构（如优先生产高利润单品）抢占市场。

七、存储产品长协的签约周期和价格

（一）HBM

长协周期 2-5 年，预付款 10%-30%，价格较现货低 10%-15%，主要客户为英伟达（锁定海力士 70% 产能）、谷歌、AMD、微软等。

（二）DRAM

头部客户（服务器、云厂商如戴尔、微软；手机厂商如苹果、三星）签 2-3 年长协，价格较现货低 20%-30%；中小客户走季度合约价。

（三）NAND

企业级 SSD 客户（微软、亚马逊）签 1-3 年长协，价格较现货低 20%-25%；消费级客户（手机、平板）走季度合约价。

八、长协客户与季度签约客户的占比

DRAM：3-5 年长协（60%-70%）给服务器和大型云客户，1-2 年长协（主要）给普通服务器和高端电脑客户，季度合约（5%-10%）给消费级客户。NAND：3-5 年长协（50%-60%）给大数据中心，1-2 年长协给中大型模组企业，季度合约（10%-15%）给消费级 SSD、手机等。HBM：全部为长协，头部客户锁定产能。

九、存储产品后续涨价节奏和空间

HBM：2026 年缺口 50%-60%，涨幅最大，但头部客户长协锁定价格，非长协客户或面临供应短缺。

DRAM：2026 年第一至第二季度涨 40%-60%，第三季度回落 10%-20%，2027 年涨幅或降至 10% 左右。

NAND：涨价滞后于 DRAM，2026 年缺口 5%，2027 年 2%-3%，2028 年或饱和，涨幅随缺口收窄逐步放缓。

十、囤货对存储价格波动的影响

当前渠道商囤货现象严重，导致现货价与合约价倒挂（合约价高于现货价），属投机行为。头部客户依赖原厂合约（含质保和技术支持），低端消费者或投机者可能采购囤货产品，但存在质量风险。市场应关注原厂合约价及真实需求，而非投机性价格波动。

十一、国内长鑫、长存的技术和产能情况

长鑫：位于合肥，主攻 DRAM，已小批量量产 HBM3 并供应国内 AI 企业，产能提升快，可满足国内需求。

长存：位于武汉，主攻 NAND（XF、Y 厂），产品聚焦国内客户，产能扩张迅速。

十二、国内 HBM 量产时间及需求满足情况

长鑫已量产 HBM3，主要供应国内 AI 企业，与三大巨头客户定位不同。随产能提升，国内 HBM 产品可逐步满足国内数据中心需求。

十三、长鑫扩产的设备卡点及国产替代

设备卡点：依赖先进光刻机（如 EUV），但海外供应受限。

国产替代：进度较快，国内企业正减少对国外设备依赖，尽管扩产周期较长，但发展前景看好。

十四、国产设备导入情况

长存、长鑫国产设备导入比例达 40%-50%，北方华创、中微公司等设备商，江波龙、佰维、长电科技等模组封测企业近年发展迅速。

十五、国内存储产品价格走势判断

国内存储产品客户以国内企业为主，价格符合行业涨价趋势，DDR5/DDR4 等 DRAM 产品涨价为长鑫、长存带来显著利润空间。

十六、HBM 相关的新技术趋势（CXL 协议等）

CXL 协议：作为 HBM “外挂”，可缓解 HBM 短缺，通过打通内存系统提升算力效率，相关企业或迎来发展机会。

国内产业链机会：国内存储企业发展将带动上下游设备、封测等环节增长。

Q&A

Q1: 请回顾过去一年多存储行业的涨价趋势及核心驱动因素。

A1: 过去一年多，存储行业三大主要产品（HBM、DRAM、NAND）均经历显著涨价。2025 年第一季度，行业迎来温和涨价，涨幅 20%~30%，主要因美光、三星、海力士减产保价；第二季度 AI 服务器订单放量，合约价每季度上涨 20%~30%；2025 年 7 月至 12 月，存储器价格呈爆发式增长，第三、四季度 DRAM 同比涨幅达 170%，NAND 涨幅约 20%，HBM 涨幅约 200%。核心驱动因素包括：需求端，AI 引爆结构性刚性长期增量，AI 服务器单台对 DRAM、HBM 需求激增，企业级 SSD 用 NAND 的 37% 需求供不应求，云厂商包下工厂全年订单；供应端，仅美光、三星、海力士三大巨头能提供高端存储产品，叠加地缘因素及原材料涨价。

Q2: 当前 HBM、DRAM 和 NAND 的供需缺口比例如何？后续价格趋势及缓解因素是什么？

A2:HBM 缺口最大，目前约 50%-60%，预计 2027 年缺口缩窄至 30%-40%，2028 年降至 20% 以内；DRAM 缺口约 5%，NAND 缺口约 5%，预计明后年（2027 年、2028 年）两者缺口均将削减至 2%-3%，后年或可满足需求。价格趋势方面，HBM 因缺口最大涨幅领先，但头部客户通过长协锁定产能，非锁定客户或面临 “有钱买不到货” 的情况；DRAM2026 年第一至第二季度涨幅 40%-60%，第三季度回落 10%-20%，2027 年涨幅或降至 10% 左右；NAND 涨价滞后于 DRAM，缺口及涨幅反应较慢。缓解因素主要包括三大巨头扩产、技术迭代提升良率、设备及原材料供应改善，但 HBM 受技术工艺复杂（良率约 40%）、EUV 光刻机交付周期长（18-24 个月）、载板及高纯度硅片垄断等制约，缓解周期较长。

Q3: 不同存储产品（高端与中低端）的供需缺口缓解节奏受哪些环节制约？

A3: 高端存储（如 HBM）缓解节奏主要受技术、设备、原材料制约：技术上，HBM 工序复杂，涉及前道晶圆制造与后道封装测试，堆叠、通孔、键合等工艺要求高，良率约 40% 且随技术迭代（HBM3E、HBM4）要求提升；设备上，需 EUV 光刻机，全球仅阿斯麦生产，交付周期 18-24 个月且年供应量有限；原材料上，载板、高纯度硅片被垄断。中低端存储（如 DRAM、NAND）技术难度较低，国内外企业均可生产，缓解节奏主要受企业扩产意愿影响，因 HBM 利润高，企业可能优先生产 HBM 而减少中低端产品产能投入，若企业平衡资金扩产，中低端产品缺口可较快补上。

Q4: 三星、海力士、美光在不同存储产品上的扩产思路是什么？

A4: 美光：优先在本土扩产 HBM 及高端 DRAM，通过新增厂区（美国两个新晶圆厂）加收购（台湾企业）扩产 DRAM；新加坡厂区定位 HBM 制造及 NAND 工厂，通过新增产线支持 NAND。三星：全线投产，自主研发全产业链，HBM 追赶海力士，DRAM 抢占盈利周期，NAND 同步扩张。海力士：HBM 绝对领先（市场供给占 52%），扩产集中于 HBM，NAND 投产较少。

Q5: 三星、海力士、美光在 HBM、DRAM、NAND 市场的份额分别是多少？

A5:HBM：海力士占 52%-60%（英伟达锁定其 70% 订单），三星占 25%-30%，美光占 18%-21%（给英伟达出货约 20%）。DRAM：三家合计占 95%，三星占 36%-40%，海力士占 28%-30%，美光占 25% 左右。NAND：三家合计占 60% 左右产能，三星占 27%-34%，海力士占 20% 左右，美光排第四，占 10%-12%（主攻企业级 SSD）。

Q6: 三星、海力士、美光的优劣势及在 AI 存储周期中的竞争格局变化如何？

A6: 竞争格局短期内受技术领先性影响，三星、美光处于追赶海力士的状态，HBM4 领域海力士成熟交付，三星、美光稍滞后。优势方面，三家技术能力雄厚，牢牢把握市场商机；风险在于若出现大规模质量问题或技术追赶失败，可能落后竞争对手。产能布局上，三家均进行全产业链扩产（前道晶圆制造及后道封装测试），前道晶圆可灵活生产 HBM 或 DRAM，取决于市场需求及利润。

Q7: 三星、海力士、美光在技术上的代差是否明显？

A7:HBM 产品代差不明显，目前 HBM3 已过，HBM3E 是量产主流，HBM4 已交付，海力士成熟交付，三星、美光稍滞后。DRAM（DDR 产品）技术差异不大，三星、海力士采用 EA、EB、EC 工艺，美光对应 1Alpha、1Beta、1Gamma，技术对等。HBM 技术依赖工艺稳定性（良率、堆叠准确性、键合能力），良率高、产能稳定者更具优势。

Q8: 存储行业是否呈现强者恒强格局？其他企业是否存在弯道超车或缩小差距的可能？

A8: 若抛开 HBM，其他企业存在弯道超车可能。AI 存储需求不仅依赖 HBM，DRAM、NAND 在服务器等领域应用广泛，若 DRAM 或 NAND 出现新应用（如车载）且获利更高，或 NAND 研发出替代 HBM 的技术，可能引发市场洗牌。但 HBM 领域目前强者恒强，三星、海力士技术实力雄厚，短期内难以被超越。

Q9: 从 HBM 当前趋势看，是否呈现强者恒强格局？

A9: 目前 HBM 领域呈现强者恒强格局。三星、海力士技术实力雄厚，短期内不会因某一产品验证未赶上而被市场超越，三家企业牢牢把握 HBM 市场商机。

Q10: DRAM 存在弯道超车可能的核心原因是什么？

A10:DRAM 存在弯道超车可能的核心原因是其应用场景广泛，不仅供给 AI 企业，还可应用于车载等领域。若车载等新需求爆发，或 DRAM 单颗产品应用扩展且获利更高，即使企业 HBM 市场表现不佳，仍可通过 DRAM 或 NAND 产品在市场获得高利润，从而实现弯道超车。

Q11: 头部存储大厂与客户签订长协的周期及价格情况如何？

A11:HBM：客户主要为英伟达、谷歌、AMD、微软、亚马逊等，长协周期 2-5 年，预付款 10%-30%，长协价较现货便宜 10%-15%，英伟达锁定海力士 70% 产能，三星、美光亦与英伟达签长协。DRAM：头部客户（服务器、云端、手机、PC 企业）签 2-3 年长协，中小客户走季度合约价，长协价较现货便宜 20%-30%。NAND：企业级 SSD 客户（微软、亚马逊、戴尔等）签 1-3 年长协，消费级客户走季度合约价，长协价较现货便宜 20%-25%。

Q12: 三星、海力士、美光的长期客户与季度签约客户占比如何？

A12:DRAM：3-5 年长协中 60%-70% 给服务器和大型云客户，1-2 年合约给普通服务器和高端电脑客户，5%-10% 给消费级客户；NAND：3-5 年长协中 50%-60% 给大数据中心，1-2 年合约给中大型模组企业，10%-15% 季度短期协议给消费级 SSD、手机、平板客户；HBM 全部为头部客户，均签 3-5 年长协。

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