玻璃基板专家交流

一、先进封装发展趋势与玻璃基板核心优势

先进封装因芯片尺寸持续增大成为主流，2020 年以来多晶粒封装（如 Intel 的 EMIB、台积电的 CoWoS）已主导市场，尤其 2026 年 AI 芯片爆发进一步推动封装尺寸扩张。传统 ABF 基板核心层由玻纤布与 BT 树脂压合而成，热膨胀系数（CTE）为 12‑18ppm/℃，与硅（3ppm/℃）差异显著，导致高功率、大面积芯片在封装及工作中易因热应力产生翘曲断裂（如 GB300 退货事件）。

玻璃基板通过整片无树脂结构，CTE 可降至 7ppm 以下，显著降低翘曲风险，且供应链周期仅 4‑5 个月（传统基板需 8‑12 个月），适配 AI 芯片快速迭代需求。此外，大陆面板行业成熟的玻璃加工技术为其量产提供基础，未来在 AI 半导体市场有望占据重要地位。

二、玻璃基板性能对比、工艺瓶颈及产业链成熟度

（一）性能优势与竞争格局

性能优势：玻璃基板 CTE（3‑7ppm）显著低于 ABF 基板（12‑18ppm）及陶瓷基板（依赖稀土材料），且材料均匀性优于玻纤布，信号屏蔽与物理支撑能力突出。竞争对比：陶瓷基板存在原材料（稀土）限制，而玻璃基板依托面板行业成熟产能，成本更低、可得性更强；与高端玻纤布（二代 / 三代布、QGLASS）相比，玻璃基板 CTE 优化空间更大，但玻纤布产能因纺织工艺限制难以提升。

（二）核心工艺挑战

TGV（玻璃通孔）打孔与镀铜是主要瓶颈：激光打孔易导致孔壁缺陷，在高电流下缺陷被放大，影响可靠性；镀铜需解决玻璃与铜的 CTE 差异，避免应力翘曲。目前行业良率两极分化，无缺陷产品稳定性优异，但缺陷控制难度大。

（三）产业链进展与渗透预期

企业动态：Intel 已在笔记本 CPU 中试用玻璃基板，2026 年日本 Nampo 会议发布服务器芯片测试载体；台积电 CoWoS 平台通过玻璃载具实现硅桥集成。渗透展望：未来 3‑5 年玻璃基板渗透率有望达 10%，AI 芯片因工作环境稳定（液冷维持 50‑70℃），可靠性测试标准低于消费电子（如冷热冲击循环从 1800 次降至 800 次），加速技术落地。

三、沃格光电 TGV 技术积累与产品规划

（一）技术积累与量产能力

沃格光电在玻璃加工领域有十余年经验，TGV 技术通过机械打孔、激光打孔、化学蚀刻等工艺组合，实现巨量通孔与正反布线（量产线线宽距 20μm，设备极限 10μm），已解决玻璃镀铜厚度（2‑3μm）与应力控制问题。核心优势在于自主开发检测设备与材料配方（如 PI、ABF 搭配），保障量产良率。

（二）产品规划路径

现有量产：显示背光产品批量出货，生物医疗芯片小批量交付。短期推进：直显 TGV 产品（0.78P 起）2026 年下半年进入量产，技术上可覆盖 AI 芯片核心层需求。长期布局：向下兼容铝基板 / 普通 PCB，向上拓展微流控、射频天线、光模块（800G/1.6T）及 AI 芯片封装，目前光模块产品已通过客户端可靠性验证，2026 年下半年进入量产期。

四、沃格光电经营状况与客户合作进展

（一）经营与财务状况

资金压力：定增撤回后，通过子公司项目融资及后续再融资计划解决产能扩张需求，现有产能可覆盖 2026‑2027 年交付。历史问题：原董事长立案调查为个人行为，与公司经营无关，当前业务正常。

（二）客户合作与良率进展

良率水平：半导体先进封装载板良率已达 50%‑60%，目标提升至 80% 以上；深宽比实验室水平 1:100，量产阶段约 1:84。客户进展：与国内外头部 AI 芯片厂商（如 NVIDIA 供应链）合作开发玻璃核心层，处于平台开发期，后续将进入具体产品打样；光模块客户已完成小批量送样，终端模组释放节奏取决于客户整体设计进度。

（三）技术竞争力

在玻璃镀铜、线路集成等工艺上具备自主 Know‑how，与肖特等玻璃厂商联合开发材料（如 BF33 玻璃），推动显示行业玻璃基板应用突破。

Q&A

Q1: 从玻璃基板、陶瓷基板和 ABF 三个方向来看，玻璃基板的性能优势体现在哪些方面？其加工是否仍依赖 TGV 工艺，该工艺难度如何，当前良率状况怎样？硅谷前沿企业是否已在该领域取得突破？

A1: 玻璃基板的性能优势主要体现在热膨胀系数（CTE）更低，可降至 7ppm 以下，能有效降低 CoWoS 模组倒装及运行时的翘曲问题；供应链及制作周期更优，能将基板周期缩短至与硅芯片周期（4‑5 个月）一致，适配 AI 芯片快速迭代需求。其加工核心依赖 TGV 工艺，该工艺难度较高，主要挑战在于打孔（如激光打孔易导致孔壁缺陷）和镀铜环节，孔壁缺陷可能在高电流下放大并引发局部问题。当前良率受 TGV 打孔工艺限制，尚未大规模应用。硅谷前沿企业中，英特尔已从笔记本电脑开始尝试玻璃基板，并于 2026 年在日本 Nampo 会议上发布了服务器应用的 test vehicle，其 CPU 可能已开始相关尝试。

Q2: 玻璃基板在当前及未来应用中的最大挑战是什么？是材料特性导致的良率问题，还是产业链成熟度、成本及配合时间引发的问题？未来 3‑5 年其渗透率能否达到 10% 左右？

A2: 玻璃基板的最大挑战是 TGV 打孔工艺，玻璃材料本身及价格并非主要障碍。具体而言，半导体公司对玻璃基板新打孔工艺应用经验不足，激光打孔易导致孔壁缺陷，而玻璃基板孔壁缺陷在高电流下可能放大，影响可靠性。未来 3‑5 年，若 TGV 打孔和镀铜工艺得到解决，其渗透率有望达到 10% 左右。

Q3: 能满足玻璃基板工艺的传统面板玻璃厂（如康宁、日本及欧洲厂家）的玻璃牌号是什么？

A3: 具体玻璃牌号属于公司秘密，未对外披露。但玻璃基板对型号选择面较广，无需满足面板行业对色差、折射率的高要求，仅需 CTE 在 7ppm 以下。

Q4: 介电常数对玻璃基板是否有要求？

A4: 目前介电常数对玻璃基板要求不高。在现有芯片架构中，数字信号（SIGNAL）主要通过 ABF 的 build‑up 层（7‑9 层）传输，玻璃基板核心层主要用于走电源（POWER）层，因此对其介电常数要求较低。

Q5: 若将玻璃基板应用于 interposer 层，是否有必要？

A5: 从成本角度看，interposer 层的主要成本在于 RDL 工艺，而非材料本身。即使将硅 interposer 替换为玻璃，成本降低有限；且 core layer 无需高密度布线，因此目前没有必要将玻璃基板应用于 interposer 层。

Q6: 在 GPU 或 AI 芯片（可能集成 GPU 与 HBM）领域，大厂量产品的出现可能需要多长时间，是否需等到 2028 年左右？

A6: 无法确定具体时间，但从工程角度推理，新技术可能先应用于尺寸较小的 CPU 产品，而非直接用于旗舰 AI 芯片。AI 芯片工作环境（如液冷维持 50‑70℃、满负荷运转）对可靠性要求低于消费电子，且可靠性测试标准可能降低（如从‑45℃至 125℃、1800 次循环降至 0℃至 100℃、800 次循环），若供应链或良率因素推动，大厂量产品可能无需等到 2028 年。

Q7: 从未来发展来看，使用玻璃基板是否具有必要性，还是可替代？

A7: 使用玻璃基板具有必要性。AI 芯片发展速度快，传统玻纤布工艺（如人工纺纱、低自动化）已难以满足需求，而玻璃基板在热性能、供应链周期上更适配 AI 芯片发展；且产业链端（如英特尔、金瓷）已开始推动玻璃基板、陶瓷基板等新技术，显示其必要性。

Q8: 玻璃基板打孔环节的主要难点是激光 / 打孔工艺问题，还是玻璃配方导致的问题？玻璃本身是否已无问题，仅需设备或工艺迭代解决打孔问题？

A8: 玻璃基板打孔环节的主要难点是工艺问题，而非玻璃配方。近年来，康宁、肖特、AGC 等玻璃厂的玻璃材料在机械性能（如硬度、杂质控制）上已较为成熟，缺陷较小，均匀度优于玻纤布。主要挑战在于激光打孔等工艺易导致孔壁缺陷，需通过工艺优化解决。

Q9: 从专业角度分析，玻璃芯（glass core）与金瓷推出的陶瓷芯材料未来发展方向如何？两者是否处于竞争状态，金瓷的生态是否不如玻璃完善？

A9: 玻璃芯与陶瓷芯存在竞争关系，但玻璃芯更具优势。陶瓷芯可能面临原材料（如稀土）供应限制，而玻璃成本更低、供应链（如面板行业）更成熟，生态更完善。此外，core layer 无需高密度布线，玻璃芯在性能、成本及供应链上更适配当前需求。

Q10: 从高密度布线维度，陶瓷（如金瓷）能否实现极高密度？玻璃在大算力芯片中实现高密度连接是否还需时间？

A10: 高密度布线主要依赖 ABF 的 build‑up 层，而非 core layer（玻璃或陶瓷），core layer 的 pitch 通常在几百微米以上，无需高密度布线。因此，陶瓷芯宣称的高密度布线优势并非针对 core layer；玻璃在大算力芯片中实现高密度连接的需求不迫切，当前技术已能满足 core layer 要求。

Q11: 英特尔使用 glass core 的 substrate 产品是否可能在 2026 年底或 2027 年上半年进入量产阶段？

A11: 英特尔 glass core substrate 产品的量产时间取决于基板厂的推动。基板厂需验证玻璃基板的可靠性、产能补充能力及工艺优势（如后端封装工艺适配性），若上述条件满足，基板厂可能推动其量产，但具体时间无法确定。

Q12: 目前玻璃基板及 TGV 封装的良率是否不高，应如何突破？

A12: 目前玻璃基板及 TGV 封装的良率确实不高，主要受 TGV 打孔和镀铜工艺限制。突破方向包括提升 TGV 良率，优化打孔（如激光 + 化学蚀刻）和镀铜工艺，减少孔壁缺陷及空洞；大陆企业（如沃格光电、蓝思科技）在玻璃加工领域经验丰富，可能在工艺突破中发挥重要作用。

Q13: 沃格光电的 TGV 封装有哪些竞争优势？与其他企业相比，其发展方向是否正确？

A13: 沃格光电的 TGV 封装竞争优势包括：在玻璃打孔加工（机械打孔、激光打孔、化学蚀刻）、镀铜（解决铜与玻璃热膨胀系数差异导致的翘曲问题）、线路制作及材料开发（如 PI、ABF 配合）方面积累深厚；能量产 TGV 基本单元（如正反布线 4 层、线宽线距 20 微米），具备检测设备及工艺整合能力。其发展方向正确，聚焦于 TGV 工艺量产能力提升，与行业需求（如 AI 芯片封装）匹配。

Q14: 公司此前因建产线导致财务压力较大，增发方案撤回后对运营及未来发展是否有重大影响？在产业领先与财务方面采取了哪些补救措施？

A14: 增发方案撤回对公司运营影响有限，经营现金流可支撑当前需求，前期投入的产能已能覆盖 2026 年和 2027 年的交付。补救措施包括：通过子公司项目层面开展融资解决后期发展资金需求；在未收到监管处罚的情况下，可重新提交定增申请。

Q15: 原董事长的立案调查与公司关联性如何？是基于其个人行为，还是会影响公司生产经营？

A15: 原董事长的立案调查是基于其个人历史行为，与公司自身经营和业务无关。目前公司经营业务正常，该事件对公司合规及未来定增融资影响较小。

Q16: 通格威在先进封装玻璃基板领域的产能良率目前已提升至何种程度？若现有订单，良率需多长时间可实现量产？

A16: 通格威先进封装玻璃基板目前良率已达 50%‑60%，具体需结合客户要求调整。量产时间需以公告披露数据为准，目前无法确定具体周期。

Q17: 公司设定的批量生产良率目标是多少？

A17: 公司批量生产良率目标为 80% 以上。

Q18: 目前量产过程中的深宽比能达到多少？此前实验室深宽比为 1:100，量产阶段是否有变化？

A18: 会议中未明确提及量产过程中的具体深宽比数据。实验室深宽比可达 1:100，量产阶段的深宽比可能因工艺优化有所变化，但具体数值未披露。

Q19: 在光模块领域，基于客户物料紧张的背景，是否有大致时间节奏，客户何时会开始批量采购？

A19: 光模块玻璃基板已进入小批量送样阶段，所有量产工序、检验检测及可靠性均通过客户验证。根据终端客户反馈，预计 2026 年下半年进入量产期，具体时间取决于客户端最终模组释放进度。

Q20: 光模块产品在行业内的领先程度如何？

A20: 无法确定光模块产品在行业内的具体领先程度。公司已完成导电率、电阻率、电性能均匀性、孔导通率等多项性能测试，但因客户设计需结合材料及产品需求持续优化，目前无法量化领先水平。

Q21: 玻璃上镀铜所使用的电镀液，是与国内还是海外厂商合作推进的？

A21: 电镀液相关信息属于商业秘密，不便透露。

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