探针卡调研：存储技术升级对市场空间的影响，当前产能瓶颈及头部厂商扩产节奏，国产玩家竞争力及梯队等 聚焦三星､海力士､长鑫､MJC､强一半导体､和林微纳等

从存储市场的角度分析，HBM4 相较于 HBM3 和 HBM3e, 对探针卡需求的具体变化和带动作用体现在哪些方面？

HBM4 相较于 HBM3 和 HBM3e 对探针卡需求的带动作用主要体现在堆叠层数的增加｡HBM3 和 HBM3e 大多是 12 层 wafer 堆叠，而 HBM4 及未来的 HBM4e 则以 12 层和 16 层为发展方向，旨在提升存储容量和速度｡以 HBM3e 的 12 层堆叠和 HBM4 的 16 层堆叠为例，在总颗粒数不变的前提下，从 12 层升级到 16 层意味着对晶圆的需求量增加了三分之一｡相应地，测试量也需要增加三分之一，因此 HBM4 对探针卡的需求至少会增加三分之一｡此外，如果 HBM4 的单颗容量增大，堆叠容量也随之增加，这将导致在同样 12 英寸的晶圆上，单层 wafer 可容纳的 HBM 颗粒数减少，从而进一步增加对晶圆的需求量，并带动探针卡需求的增长｡

在 DRAM 探针卡市场中，HBM 探针卡目前的需求占比如何？

HBM 的出现正在挤压原有 DRAM 探针卡市场的格局｡在 HBM 出现之前，DRAM 探针卡的需求量与 DRAM 出货量同步，呈现相对稳定的周期性波动｡目前，HBM 探针卡在整个 DRAM 探针卡业务中的占比预估可达到 50% 以上｡以 FormFactor 公司为例，其 2025 年的销售额约为 8 亿美元，其中 DRAM 探针卡业务约占 50%, 即 4 亿美元｡在这 4 亿美元的 DRAM 业务中，HBM 探针卡的销售额预估在 2 亿多美元｡

展望 2026 年和 2027 年，DRAM 和 HBM 探针卡的需求增长趋势有何不同？存储厂商的产能分配策略对探针卡市场有何影响？

  27 年，HBM 探针卡的需求增速将远高于传统 DRAM 探针卡｡由于 HBM 产品附加值更高，存储厂商如三星和海力士，正在将部分原有的 DRAM 产能转向 HBM 生产｡这种策略性调整意味着，为了满足 HBM 的订单需求，传统 DRAM 的产能可能会被压缩，从而导致 HBM 探针卡的需求持续强劲增长，而传统 DRAM 探针卡的需求增长则相对有限｡

考虑到 HBM 带来的强劲需求，FormFactor 等主要探针卡供应商在 2026 年至 2027 年的产能扩张计划是怎样的？当前产能是否充足，以及制约产能扩张的主要瓶颈是什么？

目前来看，探针卡的产能供给是不足的｡FormFactor 和 MJC 都已在进行扩产，但产能扩张速度并不快，预计 2026 年至 2027 年的产能增幅不会太大｡以 FormFactor 为例，其新工厂初步计划要到 2026 年第三季度末至第四季度初才能投入运行，这意味着 2026 年前三个季度不会有明显的产能扩张｡产能扩张的主要瓶颈在于前端设备的交付周期较长，特别是用于生产 MEMS 探针的晶圆制造设备，例如来自东京电子､应用材料 (Applied Materials) 等供应商的设备｡由于这些设备并非最先进制程，价值相对不高，其交付优先级可能较低，从而延长了交货时间｡

在当前产能紧缺的背景下，探针卡市场是否出现了价格上涨？具体是哪些产品在涨价，涨价的时间点､幅度和主要客户群体是怎样的？

探针卡市场已经出现涨价｡价格调整主要发生在 2025 年第四季度与客户商谈 2026 年订单时，涨价主要集中在 DRAM 和 HBM 相关的探针卡产品｡常规涨价幅度在 10% 至 15% 之间｡涨价的原因包括产能不足导致需要增加额外加班和人员成本，以及金､铜等稀有金属原材料价格上涨｡对于一些中小客户，为了确保产能，涨价会比较直接｡对于三星､海力士等大客户，涨价方式可能更为间接，例如在新产品报价中，以技术规格提升､要求增加和原材料成本上涨为由，将价格设定得比前代产品更高，从而实现变相涨价｡

NAND 探针卡市场的需求前景如何？JEM 近期宣布的资本支出计划，是否意味着 NAND 市场将有显著增长？

目前 NAND 探针卡市场没有看到明显的增长趋势｡全球主要的 NAND 厂商并未大规模扩充产能，因为消费类电子产品和固态硬盘等终端市场的需求没有显著提振｡JEM 的主要客户是三星和铠侠的 NAND Flash 业务，虽然其宣布了资本支出计划，但这可能并非完全用于扩张 NAND 产能｡JEM 也在涉足 DRAM 探针卡产品，尽管目前仍以中低端为主｡因此，其资本支出计划可能部分是为了拓展 DRAM 业务，而非预示 NAND 市场需求即将大幅增长｡

回顾 2025 年的市场表现，为何 FormFactor 的增速相对平缓，而日本的 MJC 和 JEM 两家厂商的增速却显得更高？

2025 年 MJC 的增速理论上不会非常高，因为该公司也在进行扩产，并且在 2025 年曾发生过一次较为重大的事故，这可能会对其业绩产生影响｡尽管市场参与者和客户群体相似，但各公司在具体运营､产能扩张节奏以及突发事件处理上的差异，可能是导致 2025 年业绩增速表现分化的原因｡

HBF 技术升级对 NAND Flash 的探测需求会产生哪些变化，预计将带来多大的增量？

HBF 技术可以理解为在 3D NAND 堆叠下方增加一个 Logic Die, 类似于 HBM 下方有一个 Logic Die 的结构｡这一变化会增加测试需求，因为除了要测试原有的堆叠 Wafer, 还需要对新增的 Logic Die 以及 Wafer 穿孔后进行测试｡尽管 HBF 作为一种新产品体系必然会带来测试量的增长，但其增量级别与 DRAM 不同｡NAND Flash 本身已经是 3D 堆叠模型，其测试需求的增长主要与晶圆产能的扩充同步｡因此，HBF 带来的测试量增长预计不会太大，可能最多增加 20-30%｡

目前 DRAM 探针卡产能紧缺且已涨价，NAND 探针卡的产能情况如何，是否也面临短缺？

NAND 探针卡的产能并不短缺｡主要原因在于，全球市场上多数能生产存储器探针卡的厂商，包括中国大陆的厂商，都具备生产 NAND 探针卡的能力，其技术壁垒相对较低｡众多厂商，包括韩国供应商以及中国大陆的厂商如道格特､强一半导体和韬盛等，都在利用韩国技术或其他方式扩充 NAND 探针卡产能｡因此，随着未来 NAND 产能的扩张，相应的探针卡供应能力也在同步增长，预计不会出现明显的产能短缺｡

既然 NAND 探针卡产能整体不缺，为何近期部分供应商的 NAND 探针卡交付周期也有所延长？

近期确实观察到部分供应商的 NAND 探针卡交付周期在变长，例如 TSE 的订单交付周期就有所延长｡但这并非源于 NAND 探针卡本身的需求激增，而是 DRAM 探针卡产能极度紧缺带来的挤出效应｡以一家同时生产 DRAM 和 NAND 探针卡的供应商为例，其原有业务可能 90% 是 NAND,10% 是 DRAM｡由于 FormFactor､MJC 等头部 DRAM 探针卡厂商的交付周期过长 (例如 FormFactor 当前下单需到 2026 年 11-12 月才能交付), 部分 DRAM 客户无法接受，订单便会外溢｡为了承接这些外溢的 DRAM 订单，该供应商会调配更多产能去生产 DRAM 产品，从而挤压了其原有的 NAND 探针卡产能，导致 NAND 产品的交付周期被动延长｡

在 DRAM 探针卡产能紧缺的背景下，哪些供应商更有可能承接从 FormFactor 和 MJC 外溢的订单？

从 FormFactor 和 MJC 外溢的 DRAM 探针卡订单，最有可能由韩国的 TSE､Will Technology 和美国的 Micro-Probe 这三家公司承接｡目前来看，这三家公司的机会均等，处于并列竞争的态势，尚无法明确判断谁更具优势｡

对于原本主营 NAND 探针卡的厂商而言，转向生产 DRAM 探针卡是否存在技术或设备上的障碍？

生产线的核心设备基本可以共用，但存在一个关键的技术瓶颈，即激光键合 (Laser Bonding) 设备｡这些厂商的技术路线与 FormFactor 不同，与 MJC 类似，其生产线在制造 DRAM 和 NAND 探针时具有一定的通用性｡然而，DRAM 探针卡的 Pitch 要求更小，通常在 50 多微米｡如果厂商早期采购的激光键合设备精度不足，无法满足 DRAM 的 Pitch 要求，其产能转换就会受限｡反之，如果厂商在采购设备时已预见到未来向 DRAM 发展的需求，并配置了更高精度的设备，则转型会更加顺利｡除设备外，探针本身的技术和产能是可以共用的｡

那些主要服务于逻辑芯片市场的头部探针卡供应商，例如台湾和欧洲的公司，是否有可能承接 DRAM 探针卡的溢出订单？

不可能｡这些专注于逻辑芯片领域的探针卡厂商，其技术能力和产品线从未涉足过 DRAM 领域｡他们能够承接的存储器相关业务，最多是 HBM 产品中 Logic Die 部分的测试，而无法覆盖 DRAM 本身的测试需求｡因此，DRAM 探针卡的产能外溢不会流向这些逻辑芯片探针卡供应商｡

上游原材料涨价对不同类型的探针卡价格影响是否一致？NAND 和逻辑探针卡厂商是否会因此对客户涨价？

探针卡所用的上游原材料，如化学药水和电镀用的金属材料，对于 DRAM 和 NAND 探针卡来说是相同的｡然而，当前 DRAM 探针卡涨价的主要驱动因素是产能严重短缺，而非原材料成本上涨｡原材料成本在整个探针卡价格中的占比较低，其上涨带来的影响相对有限｡对于产能并不紧缺的 NAND 或逻辑探针卡而言，厂商很难仅以上游原材料涨价为由对客户提价｡

考虑到 NAND Flash 客户对价格较为敏感，涨价困难，而 2027 年长鑫存储等厂商的 NAND 产能预计将增加，届时 DRAM 和 NAND 探针卡市场是否还会出现短缺？

2027 年 NAND 的产能确实会增加，例如长鑫存储的国产新项目预计在 2026 年底至 2027 年投产｡尽管产能扩充，但市场需求也在变化，例如长鑫存储也在开发 HBM 相关方案｡对于 NAND Flash 探针卡而言，由于其客户对价格非常敏感，涨价难度很高，市场竞争主要体现在价格上｡

强一半导体的主要营收来源是什么？其 SOC 探针卡业务与 DRAM 探针卡业务在技术路线上有何区别？

强一半导体的主要营收来源是 SOC 垂直探针卡｡根据其 2025 年的财务数据，全年销售额约为 10 亿人民币，净利润可观｡SOC 探针卡与 DRAM 或 NAND Flash 探针卡在技术路线上完全不同，是两条截然不同的技术路径｡例如，MJC 在 DRAM 和 Flash 领域有积累，但其 SOC 业务表现并不突出，这正说明了技术路线的差异｡

从未来两年的维度看 (2026-2027 年), 长鑫存储的 DRAM 探针卡供应是否仍将依赖海外厂商？其主要的供应商有哪些？

是的，预计在 2026 至 2027 年，长鑫存储的 DRAM 探针卡供应仍依赖海外厂商｡长鑫存储目前主要的供应商以 FormFactor 为主，同时也在验证 TSE､JEM 以及一些国产厂商的产品｡

如果强制要求采用国产探针卡，会对供应链产生多大影响？

如果强制采用国产探针卡，影响会非常大，因为海外厂商产能本就紧张｡

和林微纳在探针卡业务方面的布局和进展如何？与强一半导体相比处于什么水平？

和林微纳的探针卡业务尚处于起步阶段｡他们于 2023 年组建了探针卡事业部，但目前其垂直探针卡业务表现并不突出｡无论从哪个层面评估，和林微纳在探针卡领域的发展都要比强一落后一个等级｡不过，他们近期招聘了许多人员，显示出未来在该领域投入的意愿｡

除了强一半导体，国内还有哪些探针卡厂商有潜力脱颖而出？成功的关键因素是什么？

目前很难判断哪家国产厂商能够最终脱颖而出｡强一半导体在 SOC 领域，主要满足中低端市场的 “堪用” 需求，但在客户端也存在不少问题和抱怨｡成功的关键取决于两方面：一是厂商自身的技术积累，二是客户的扶持意愿，即客户愿意选择谁作为第二家国产供应商｡目前，包括强一在内的许多厂商，其主要出货产品仍采用激光切割针技术，而这项技术国内多家公司 (如和林微纳､韬盛) 都能掌握｡但从体量上看，两者不在一个量级｡

国产高端探针卡技术要达到与 FormFactor､Technoprobe 等国际领先厂商相当的水平，预计需要多长时间？主要的差距体现在哪里？

预测具体需要多长时间来实现高端突破非常困难｡要进入英伟达等顶级客户的供应链，技术路线需与 FormFactor 和 Technoprobe 基本一致｡目前，主要的差距类似于基础科学领域的差距，核心在于基础化学与材料科学，这方面与日本､德国等领先国家存在显著差距｡

相较于 2025 年，MJC､JEM 以及强一半导体在 2026 年的出货量预计将有怎样的变化？

目前很难提供一个非常准确的数字｡已知 MJC 正在进行扩产｡关于 JEM, 之前与该公司社长交流时，对方并未明确透露 2026 年的扩产计划｡至于强一半导体，其 2025 年销售额已达 10 亿人民币，2026 年产能基本处于满载状态，因此预计 2027 年的增长空间不会太大｡不过，强一确实采购了许多新设备，预计将在 2026 年 6 月后开始交付，这可能会带来一些产能增量｡

当前 DRAM､NAND､SOC 及逻辑芯片等各类探针卡的产能利用率和交付周期情况如何？

DRAM 探针卡产能处于满产状态｡SOC 探针卡也基本满产，部分原因是 FormFactor 和 Technoprobe 等主流厂商的交付周期过长，导致一些客户 (如台积电及部分国内客户) 转向 MPI 等其他供应商｡目前，欧洲的逻辑芯片探针卡厂商和台湾的 MPI 产能都非常满｡SOC 探针卡的常规交付周期在 9 到 14 周，情况不像 DRAM 那样紧张，因为其插针相对通用，可以通过采购原材料来解决部分交付问题｡NAND 探针卡的交付周期也有所延长，主要是因为其产能被 DRAM 产品挤占，尤其是在 JEM 和 TSE 这类同时生产两种产品的厂商中｡

强一半导体从 SOC 探针卡领域切入 DRAM 探针卡领域的战略考量是什么？这种跨越在技术上是否具有共通性？

强一半导体进入 DRAM 探针卡领域，是其业务扩张的战略选择｡其目标是对标行业内的综合性厂商，在中国 SOC 探针卡市场增长空间有限的情况下，寻求向存储领域拓展，包括 NAND Flash 和 DRAM｡而 DRAM 领域最大的客户就是长鑫存储｡从技术角度看，SOC 探针卡和 DRAM 探针卡是两条完全不同的技术路线，两者之间不存在技术共通性或捷径，进入 DRAM 领域相当于从零到一重新开始｡

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