射频大厂调研：公司射频、硅光产能规划，射频器件竞争格局，自建Fab进展-聚焦旭创、锐石、飞骧、昂瑞微、慧智微等

以下为专家观点： 

Q：可否介绍一下卓胜微在射频与硅光领域的产能规划与分配情况？

当前节点的规划如下： 在6英寸产线方面，主要生产滤波器和砷化镓产品。其中，滤波器已实现量产，满载产能约为1万片/月，有效产出也基本在此水平。砷化镓产品近期将进入量产，初期产能规划为1,000-2000片/月，短期内计划提升至2000-3,000片/月。因此，6英寸产线一期总理论产能约为15,000片/月。未来，6英寸产线计划基于磷化铟平台探索EML光芯片的生产。由于EML与6英寸砷化镓产线在MOCVD等关键设备上具有较高的通用性，可通过设备改造实现产能覆盖。短期内为EML规划的产能不超过1,000片/月，预计在500-1,000片/月，主要受限于薄膜成型设备，该设备在理想运行状态下月产出约为500片。 在12英寸产线方面，目前主要运行SOI工艺，锗硅工艺于2025年12月通线。SOI的理论产能为1万片/月，实际高峰期的利用率约在7,000-8,000片/月。锗硅工艺的规划产能为3,000-4,000片/月。这部分锗硅产能未来的分配方向有二：一是基于该工艺平台生产TIA和Driver；二是生产集成度较高的硅光产品。这两块业务的产能规划不会超过预留的3,000-4,000片/月上限。在这3,000-4,000片/月的产能中，一部分将用于纯硅光，一部分用于TIA和Driver，还有一部分供射频业务自用。射频业务自身在卫星通讯和GPS方面对锗硅工艺的需求约为1,000片/月。因此，扣除射频自用部分后，未来可供光通信业务使用的锗硅富余产能约为2000-3,000片/月。

Q：关于12英寸锗硅工艺1万片/月的产能规划信息是否准确？以及SOI产线在硅光业务上的分配计划是怎样的？

在当前节点，为锗硅工艺规划1万片/月的产能是不现实的。整个12英寸产线一期的总产能满载约在12,000片/月。锗硅工艺一期的明确布局就是3,000-4,000片/月，其中射频自用需求仅为1,000余片，不足2000片/月。此产能数据是基于可实现情况的规划，不包含未来二期扩产的预期。 关于SOI产线，其工艺与硅光技术同源，且现有产能较大。但未来的产能分配将严格依据硅光产品的实际进展来决定。硅光项目大约从2025年年中开始陆续进行工艺验证等工作，长远规划必须结合产品自身的发展情况。目前，并未为硅光业务在SOI产线上明确预留大量产能。即便未来进行设备改造，也将在产品取得实质性进展后分步实施。当前，SOI产线约7,000-8,000片/月的实际产出全部用于生产射频器件。

Q：从射频领域切入硅光制造，与华虹、中芯等传统晶圆代工厂相比，公司的技术门槛和核心优势体现在哪些方面？

从射频工艺延伸至硅光制造具备一定的技术基础。射频常用的SOI和锗硅衬底工艺，其12英寸产线设备与硅光制造的通用性较高。尽管在一些关键站点（如外延工艺）上，两者技术不完全相通，但许多其他制程站点的工艺具有共通性。 相较于纯晶圆代工厂，优势主要体现在以下几个方面： 第一，产能与资源优势。除了满足射频业务需求外，现有产线尚有较大的富余产能空间。同时，在产线研发人员等资源投入上也有充足的保障。 第二，IDM模式优势。公司采用IDM模式，内部从晶圆开发到芯片产品的流程非常通畅，这与纯代工厂的运作模式不同。 第三，研发能力与经验。基于在射频领域积累的研发能力和经验，在切入新领域时具备较强的基础。以Tower为例，其在射频前端SOI工艺上与公司技术高度相似，公司内部评估认为技术水平仅落后约一代。既然Tower能为中际旭创等客户供应硅光芯片，这表明公司的射频产线模式和技术基础在未来转向硅光领域时同样具备潜力。

Q：公司在硅光业务上与头部客户的合作进展如何？公司对光模块业务的长期规划是怎样的？

目前，公司未来的主流合作方向可能是为中际旭创提供相关产品。尽管网上信息可能显示项目推进速度很快，但实际情况是，公司目前仍处于内部跑通样片的阶段，尚未进入向客户正式送样的成熟阶段。产线工艺已基本跑通，理论和工艺层面已准备就绪，但还未到根据客户给定的产品概念进行加工的步骤。公司近期已开始招聘市场和芯片设计方面的人员，根据过往经验，这通常意味着产线工艺已全部跑通，即将开始与客户洽谈合作，了解其产品概念并进行相应的设计开发，为未来给客户送样做准备。 在长期规划方面，短期内公司的策略是提供单颗的硅光芯片或电芯片产品。但从更长远看，公司有计划在未来涉足

光模块的自主生产，构建完整的光模块解决方案。

Q：当前射频行业的竞争格局如何？市场价格和竞争态势是否有望在短期内出现改善迹象？

射频市场自2020年5G兴起以来经历了两个小高点。第一个是2021年，受益于5G手机的普及以及当时在三星供应链中份额的提升，市场行情较好，价格压力不大。第二个是2023年，主要驱动力是下游渠道库存的快速消化以及华为Mate 60机型的热销，带来了一波短暂的行业爆发。 然而，进入2026年，市场竞争愈发激烈。以往市场上仅有少数几家上市公司，但现在越来越多中大型射频厂商进入资本市场。上市后，这些公司面临业绩压力，可能会加剧价格战。因此，短期内射频市场的竞争格局预计不会有明显改善。

Q：请分析一下当前射频器件行业不同产品线的竞争格局以及各自的基本面情况？

当前射频器件行业可以主要分为分立器件和模组器件两大类。在模组器件中，又可细分为发射端和接收端。 上市的射频公司大多集中在发射端模组，如PA、PAMiF或PAMiD等产品，导致该领域的竞争异常激烈，价格战持续，短期内看不到市场需求或价格竞争出现良好转变的迹象。 相比之下，接收端模组的竞争格局相对稳定。国内从事该领域的公司不多，加之产品需要垂直整合多种滤波器，技术门槛较高，因此接收端的基本面较为稳健。分立器件方面，其技术迭代速度慢于模组产品，两年前的产品至今仍可使用。然而，该领域一直存在价格压力，这主要源于市场需求的波动。同时，部分终端厂商为保障供应链安全，有意扶持二供，这使得一些主营射频开关、LNA的厂商出货量陆续增长，从而稀释了公司的订单份额，导致分立器件的需求出现一定程度的下滑。 此外，独立的滤波器（如双工器、四工器）市场竞争同样非常激烈。但滤波器产品更多是为模组配套服务，其主要的竞争业态还是体现在模组内部。

Q：公司在发射端模组、接收端模组和分立器件这三块业务的收入占比大致是怎样的？未来趋势如何？

截至2025年，公司整体业务构成中，模组产品约占总收入的40%，分立器件约占60%。在占40%的模组业务内部，接收端模组是主要部分，贡献了其中的60%至70%。发射端模组（PAMiF和PAMiD）方面，公司起步较晚，且国内从事该领域的上市公司较多，如昂瑞微和即将IPO的飞骧等，因此竞争一直非常激烈。而接收端模组方面，国内参与者较少，且公司产品性能优异，无论是价格还是市占率都保持着较高的稳定性。 展望未来，随着器件集成化程度不断提高，许多分立器件将逐步集成到模组中。因此，预计模组产品在公司总营收中的占比将会越来越高。

Q：考虑到2023年行业去库存背景下各公司财报表现不佳，2026年手机下游需求疲软，以及锐石等新竞争者加入，射频行业是否仍未出现明显向好的趋势？行业未来的转折点可能在何时出现？

2023年第三季度的营收表现是公司多年来的一个高点，因此2023年整体收入相对于前后几年是比较好的，但行业价格竞争确实非常激烈。进入2026年，整体市场环境依然不佳，下游手机需求的确在持续砍单，主要原因一是市场不景气，二是存储芯片价格高导致成本上升。基于此，公司规划2026年的营收能与2025年持平已属不易，因此，至少在2026年内看不到行业有强劲的起色。 关于未来的转折点，需要从行业演变趋势来看。首先，射频器件正朝着高度集成化的方向发展，未来更多的分立器件（如滤波器、LNA、开关）将被集成进模组。这对设计公司的研发能力、自有工艺水平以及版本迭代速度都提出了越来越高的要求。其次，手机厂商对高端、高集成度器件的需求越来越偏向定制化，而非通用件，这对设计公司的研发设计能力和供应链响应速度也提出了更高要求。 在这种趋势下，如果射频公司的产品布局不够完整，例如不能覆盖全频段，未来将面临巨大考验。随着时间的推移，如果行业未能实现明显反转，市场上能够存活下来的设计公司可能会越来越少。

Q：对于那些以分立器件或PA起家的上市公司，转向技术要求更高的模组产品是否存在困难？

它们在下一代射频方案的竞争中将面临哪些挑战？如锐石、飞骧、昂瑞微主要是做PA起家，慧智微则更侧重分立器件。以PA起家的公司为例，目前似乎只有锐石在重庆自建了滤波器工厂。 射频方案的演进趋势对产品线的完整性提出了严峻挑战。当前主流的Phase 8方案核心是一颗PAMiD。而下一代Phase 9方案要求将发射端的PAMiD与接收端的LDiFEM集成到一颗芯片中。如果一家公司本身没有成熟的LDiFEM研发能力和产品线，就很难将这两部分功能整合到一起，从而在下一代产品的竞争中处于劣势。即使通过外购芯片再找封装厂合作，前提也是自身必须具备相应的设计能力。因此，产品种类的不齐全会导致其在未来工艺演进中研发能力缺失。此外，缺乏能支持多种工艺的自有晶圆厂，也会使其在响应速度和产品迭代上相对落后。

Q：国内射频厂商是否有机会通过抢占海外巨头的市场份额来改善行业现状？终端厂商在推动高端芯片国产化方面扮演了怎样的角色？

行业存在两个积极趋势。第一，海外射频巨头由于部分射频业务毛利率较低或竞争激烈，正逐步释放一些市场份额到国内，主要体现在发射端模组等产品上。这些订单有机会转移给国内厂商承接，其中释放的也包含一些偏高端的产品。 第二，国内终端厂商对供应链安全的重视程度日益提高，正积极扶持国内设计公司研发高端芯片。华为一直以来都愿意投入大量资源，包括研发人员，与国内厂商共同研究PAMiD等高端芯片。现在，荣耀也在大力推进此事，OPPO也已开始与国内厂商就自研定制化高端芯片进行深入合作。尽管小米目前尚未有明显动作，但整体趋势是国内厂商逐渐意识到，即使国产供应链的产品性能稍有差距，也是未来必须坚持的路线。这为国内厂商在高端芯片领域创造了释放空间。

Q：对于海外厂商释放的市场份额，国内厂商如公司是否能迅速承接？目前在高端发射端模组的研发和量产进展如何？

承接海外厂商释放的份额肯定需要一个磨合过程。目前，公司在高端接收端模组的研发能力上没有问题，能应对各种复杂度的产品。在发射端模组方面，虽然仍需磨合，但自2025年下半年实现真正意义上的量产出货以来，产品的稳定性和良率都表现得比较好。公司的产品迭代速度也很快，从Phase 8方案量产出货，到预计最快在2026年年底推出Phase 9方案，时间间隔仅约一年半，追赶步伐是比较快的。

Q：在国内厂商中，哪家在发射端PA领域更具优势？

在发射端PA领域，飞骧和昂瑞微这两家公司做得相对较好。

Q：关于公司与村田的专利诉讼目前进展如何，尤其是在中国市场的解决情况及其对业务的实际影响是怎样的？

专利诉讼主要分为国内和海外两部分。在国内，问题的定性具有一定灵活性，取决于终端客户的立场。国内厂商的态度明确，只要在技术层面能提供合理的规避方案或反驳逻辑，即便根本原理相似，他们的接受度也比较高。因此，滤波器相关的专利问题在国内客户拓展方面基本没有障碍。目前，针对村田的专利无效诉讼已有4起，其中3起已经胜诉，仅剩1起待决。 海外市场，尤其是三星等主要客户，对知识产权和专利问题更为敏感，但这可能只占影响因素的30%。更重要的70%原因在于海外客户自身的供应链规划。例如，三星在接收端模组和发射端PAMiD方面拥有成熟的供应链体系，未必会选择将所有频段和种类的产品都交由公司供应。因此，即使专利问题完全解决，订单份额的分配更多取决于其长期的供应链战略，而非单一的诉讼结果。三星在成本控制方面并不极端，不太可能仅为了降低成本而将高端发射端PAMiD等产品的供应链切换至大陆厂商。

Q：公司目前的产线投资规划、在建工程以及折旧情况是怎样的？考虑到当前较低的产能利用率，新增投资是否会加剧对业绩的拖累？

过去公司的产能利用率确实较低。从2023年以后，营收整体呈下降趋势。产线在2023年时6寸线稼动率较高，但进入2024年和2025年，6寸和12寸产线的整体稼动率普遍仅为60%-70%，能达到80%已属不易。折旧是影响利润的主要因素。 公司的投资规划分为一期和二期。一期产能已基本建设完毕，没有太多弹性空间，且目前产能并未满载。报表上约30亿元的在建工程主要属于二期，对应12寸产线。这些设备尚未启用，因此其折旧还未体现在财务报表中。一旦这些设备投入运行，例如规划中尚未满产的3,000片GaAs产能开始量产，这30亿元的资产就会开始产生折旧，无疑会加重财务负担，尤其是在下游需求不足

的情况下。

Q：拥有自建Fab对于提升射频模组的技术能力和盈利水平具体有何帮助？如果稼动率持续低迷，相较于轻资产的Fabless公司，重资产模式是否会成为一种拖累？

拥有自建Fab确实是提升技术和盈利能力的关键。首先，在技术层面，未来射频行业趋势是高度集成化，需要整合开关、LNA、滤波器以及接收和发射端产品。公司具备全品类产品的研发和设计能力，这是其他Fabless公司所不具备的。其次，自建Fab在晶圆流片速度上具有显著优势，平均速度比委外代工快，时间可缩短三分之一，工程周期甚至能缩短一半。这意味着在两年内，公司可以完成两轮产品迭代，而竞争对手可能只能完成一轮，这在未来更高端、更定制化的产品竞争中构成了巨大的技术和时间优势。如果能够实现满产，不仅能显著提升盈利水平，还能持续改进PAMiD等产品的工艺技术能力。 然而，如果

稼动率长期无法提升，重资产模式确实会成为拖累。相比轻资产的Fabless公司，高额的固定资产折旧会严重侵蚀利润。

Q：面对射频业务需求不足和产能过剩的问题，公司在硅光等新业务领域的布局进展如何？这些新业务能否有效提升未来的产能利用率？

公司早已意识到射频业务的产能可能大于市场需求，因此很早就开始规划新业务方向以填补产能。内部规划大致分为三个阶段：第一阶段是已在进行的射频业务；第二阶段是硅光等相关业务；第三阶段则畅想进入AI相关芯片领域，如高密度电容、BCD甚至FPGA等。进入硅光领域并非仅为填补产能的应急之举，而是战略规划的一部分。相关项目在早期就已提出，但立项流程较长。目前，硅光业务的进展相对较慢。参考此前MCU产品从产线验证到量产出货耗时约两年的周期，硅光项目若以2025年年中启动计算，最快也要到2027年下半年才可能实现量产出货。这意味着，最迟在2026年下半年就需要完成客户的审核认证

和送样。当前阶段，应是工艺基本成熟，开始组建市场和设计团队与终端客户对接需求的时期。

Q：公司在硅光领域各项技术的开发进度和时间规划是怎样的？不同技术路线与公司现有的射频技术平台的同源性如何？

在硅光业务中，基于12寸锗硅工艺的电芯片（如TIA、Driver）进展要快于基于6寸磷化铟工艺的EML。锗硅工艺在2025年12月底已通线。考虑到EML的技术平台与GaAs产线在MOCVD等关键设备上存在一定相通性，但其工艺通线时间晚于锗硅近半年，因此EML的量产可能要推迟到2028年。当然，这只是基于当前进度的预估，不排除项目加速的可能性。 从技术同源性来看，TIA和Driver基于锗硅衬底开发，与公司原有的射频技术平台相对更为接近。公司在射频领域主要将锗硅工艺应用于LNA，特别是高精度GPS LNA和卫星通讯产品。而EML基于磷化铟平台，该技术并未应用于射频产品，其与砷化镓产线虽有部分设备相通，但技术本身的同源性并不高。

Q：公司在SOI工艺方面的能力如何？这项技术与原有的射频产品以及未来硅光业务的关联性体现在哪里？

公司在SOI工艺方面拥有深厚积累，80%以上的分立器件，如开关和LNA，都是基于SOI工艺制造的。硅光技术本身也是在SOI基础上发展的，因此在衬底和工艺层面具有很强的共

通性。这为公司从射频SOI工艺转向硅光领域提供了天然的技术优势和协同效应。

Q：从短期来看，射频行业的竞争格局和价格战趋势将如何演变？公司的竞争对手在产能方面是何布局？

从理性的市场判断来看，未来一到两年内射频行业的需求难有显著的增长点，不像存储或硅光领域有清晰的增长预期。因此，行业内的价格战预计仍将持续，短期内看不到结束的迹象。 在竞争对手方面，大多数射频设计公司都是采用Fabless模式，将生产外包给代工厂。在拥有自建产能的公司中，仅有锐石拥有自己的滤波器工厂，其他公司基本都是纯设计公司。因此，公司在拥有大规模自建Fab方面是为数不多的。

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