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磷化铟系列调研1
发布来源: 路演时代 时间: 2026-04-15 13:56:12 0

头部产能与有效产量差距,4 英寸单晶合格率与成晶率提升路径,行业扩产可能以合格率提升 + 固定资本开支双重路径

调研纪要总结

行业供给与公司现状:专家称住友产能约 60 万片、通美约 40–50 万片;公司公告产能 15 万片,受良率影响实际产量低于此值,核心卡点在晶体生长过程中的单晶成晶率;国内高纯铟与高纯磷已可国产化,多晶合成合格率约 70%–80%。良率定义与提升抓手:专家称行业整体 4 英寸单晶合格率约 20%–30%,头部企业指标更高;最关键的合格率指多晶到单晶的单晶合格率。除单晶外,原料环节还有直收率与综合回收率(含回炉再利用),晶片加工环节良率一般在 90% 甚至更高;单晶炉存在 “人” 和 “设备热场 / 温度控制点” 差异,公司举例通过炉子改进将装料量从 10 公斤提升到 12 公斤以提升产出。扩产节奏与规格结构约束:专家称 2026 年行业扩产动力强、订单紧张且基本排满,扩产更倾向先靠工艺提升良品率来增产降本。公司公告中,计划新建产线把产能从 15 万片扩至 45 万片,但爬坡需要时间;并指出尺寸与掺杂类型组合为 6 种规格,掺硫用量最大、掺铁为半绝缘用量较小但对指标要求更高,若规格不匹配会放弃订单。


专家观点

Bryce:全行业目前整体的磷化铟产能大致是多少?今年(2026 年)和明年(2027 年)分别是什么情况?专家:目前行业头部企业中,住友的产能大约在 60 万片左右,通美大约在 40-50 万片区间,公司对外公告的产能为 15 万片,公司目前产量低于产能,主要是由于良率问题。公司的产能早几年已公告,但产量仍在爬坡阶段,尚未达到设计产能。影响产能释放的关键在于晶体生长过程中的单晶成晶率,这是最核心的环节。目前国内已经能够提供高纯铟和高纯磷,实现了完全国产化,质量也能达到国外要求。多晶合成环节,各家采用不同方法,合格率已达到 70%-80%。单晶生长主要使用 4 英寸和 6 英寸的单晶炉,成品率最高的还是 4 英寸炉。若 4 英寸不合格,会尝试加工为 3 英寸或 2 英寸。单晶炉目前以 4 英寸和 6 英寸为主,后续如有 8 英寸炉则产能更大。目前 4 英寸炉的成品率最高,相关技术还在研发攻关阶段,尚未形成批量生产。


Bryce:鼎泰和先导与公司相比处于什么水平?

专家:鼎泰和先导的规模相对较小,两家加起来也不到公司的一半。


Bryce:以目前行业平均水平来看,一台炉子大致可以产出多少片?

专家:以公司为例,实际产出会因炉子的良率差异而有所不同,有些炉子可能一个合格品都产不出来。今年(2026 年)一二月份的产量较去年同期翻了一倍多,主要得益于下半年对炉子设备和工艺的改进,使单晶生长的成品率有所提升。


Bryce:住友、通美等头部企业目前的产能数据是当前水平还是 2026 年底的预期?2026 年行业整体是否有扩产计划?从固定资本开支的角度来讲,您觉得今年和明年行业有多大的增长,先从最开始的这么固定资产开支再往下探讨良率,还是说大家现在就商量通过提高工艺去提高有效供给,而不是去多投资设备。

专家:目前的数据为当前水平。2026 年行业整体有扩产动力,订单紧张,基本排满。扩产主要依赖于提升良品率,这样可以在不增加设备投资的情况下提升产量,降低成本,增强竞争力。各家企业会根据自身技术水平选择提升良率或增加设备投资。


Bryce:住友、通美等企业的扩产主要依赖于工艺提升还是设备投资?

专家:头部企业如住友、通美的工艺成熟度较高,具备一定优势。产线扩产方面也有具体举措,但主要还是依赖于工艺提升。具体细节因企业而异。


Bryce:公司、鼎泰,先导等企业与通美、住友相比,在成晶率方面差距有多大?

各自的成晶率水平如何?专家:行业整体 4 英寸单晶的合格率约为 20%-30%,住友、通美等头部企业指标较高,大陆其他公司较低。头部企业采用 LEC 和 VGF 等生长方法,各项指标优于其他企业。


Bryce:所谓合格率是指哪个环节?从原料到多晶、还是多晶到单晶,还是原料到单晶?

专家:最关键的合格率是指多晶到单晶的单晶合格率。原料环节还有回收率,包括直收率和综合回收率。直收率指购进高纯铟、高纯磷后,最终进入产品的比例,通常为百分之几到百分之十几,做得好的可达百分之二十几。综合回收率包括回炉再利用,整体可达 40%-50%。此外,晶片加工环节的良率一般在 90% 甚至更高,主要受晶片尺寸影响,但各家差距较小。


Bryce:行业扩产的重点主要集中在从原料到单晶环节,通过工艺提升来扩大有效产能?

专家:是的。从技术角度提升是最可行的路径,也是降低成本最有效的方法。如果使用相同的材料却产出有限,显然效率不高。


Bryce:可行的依据是什么?为什么现在说是可行的,几年前为什么没有去做?

专家:因为像公司这边做磷化铟,其实不是最近两年才开始的,早在 2013 年前后就已经开始布局,从两寸逐步推进研发,包括多晶的合成。最初没有多晶,只能从英国采购,后来自主摸索了几年,掌握了多晶的合成工艺技术,现在可以自主合成并进行单晶生长。最初单晶生长合格的尺寸只有两寸,后来发展到三寸,占了大部分市场,现在四寸也有一定比例。可能能体现四寸的难度,比如四寸成品率只有 200 片,三寸将近 6000 片,两寸约 2400 片。按比例算,一片四寸相当于 30 片三寸或 11、12 片两寸的产量,市场来看,四寸确实难度较大。


Bryce:首先,从原料到单晶的生产环节,您认为达到住友和通美这种 20%~30% 的水平,对于二线厂商来说是可行的吗?这个提升在行业层面是普遍可行的吗?时间维度大致是多久?比如今年(2026 年)年底能否实现突破,还是要等到明年(2027 年)?

专家:今年(2026 年)年底预计会有较大提升,但明年(2027 年)或后年可能会有更大的突破。以其他材料如砷化镓为例,正常指标应在 50%~60% 才算合理。现在从二十几的水平提升,还有较大空间,但要在两三年内达到较高水平还是有难度的。同时,住友、AXT 等也可能同步提升。


Bryce:20%~30% 还能再提升吗?您刚才用砷化镓行业做了对比,您的意思是砷化镓和磷化铟其实差不多?

专家:两者非常相似,砷化镓已经做得很好。所以最终稳态来看,化合物半导体从原料到单晶的良率大致在 50%~60% 是比较合理的。


Bryce:良率提升主要受哪些因素影响?比如有信息提到,有些师傅手艺好但工艺不愿分享,这种情况常见吗?专家:单晶生长的炉子,比如 200 台,每台都有一定特殊性。单晶生长过程不可见,装炉手法会影响结果,有些人装得好但说不清原因,有些人则能总结经验。同样设备产出也会不同。整个过程如果控制不好,成败要等十几天后检测才能知道,人的因素影响很大。更关键的是设备的热场、压力,温度等精准控制。一台磷化铟多单晶炉有三四十个温度控制点,每个位置的温差影响都很大。从设备硬件角度看,国内磷化铟单晶生产设备基本都是同一家供应,但产出仍有差异。比如公司这边对炉子做了改进,将原本 10 公斤的装料量提升到 12 公斤,在合格率相同的情况下产量提升了两公斤,产能也随之增加。


Bryce:设备其实大家都差不多?

专家:现在主要是国产设备。单晶生产设备和加工设备基本都实现了国产化,只有检测设备还依赖国外。


Bryce:单晶炉的交期是否在拉长?大家是否都在提前锁定设备?

专家:单晶炉的交期对产量影响不大,只要盯紧生产,加工速度还是很快的。


Bryce:如果二三线厂商产能提升,通过提升原料到单晶环节的良率,有效供给提高两三倍,后续环节是否存在卡点?比如从单晶到成品衬底、衬底到外延、外延到光芯片等环节,行业是否有卡点?

专家:衬底环节的主要卡点还是单晶的成晶率和成品率,加工过程障碍不大。产品一致性也很关键,有些客户后端做外延时达不到要求,会退货返修。外延成熟度各家不同,也会影响前端衬底产能和产量。另外,规格尺寸和掺杂类型不同也有较大影响,比如某些客户要求掺铁的产品,3 寸 4 寸可能无法供货,订单无法承接。现在有三种尺寸,半绝缘和导电类型,总共 6 种规格。如果客户需求无法满足,只能放弃订单。


Bryce:如果衬底到外延良率只有 20%~30%,空间也很大。为什么刚才说卡点主要在衬底环节,这边也是卡点,为什么?

专家:其实影响不大,因为外延长不好可以返工处理,晶片表面重新处理后可以继续使用。


Bryce:复用次数有限吧?一片衬底不可能无限复用,对吗?

专家:确实如此。


Bryce:您觉得从衬底到芯片的最终良率大致是多少?比如一片衬底理论上能长出多少颗芯片,实际产出是多少?考虑外延复用的情况。

专家:跨度较大,没有详细计算。芯片应用场景不同,没有一一对应关系。目前行业主要聚焦于从原料到单晶的环节。


Bryce:如果大陆二线厂商合格率在今年(2026 年)年底或明年(2027 年)达到住友水平,产量提升几倍,整个产业会不会过剩?

专家:短期内要达到那么高的水平有难度。从订单情况看,去年(2025 年)明显紧张,今年(2026 年)AXT 的订单已用完。产能跟不上,主要是硬件不足和成品率低,供给有限。公司今年(2026 年)一二月份产量已较去年同期翻倍。今年(2026 年)公司计划新建一条产线(已发布公告),将产能从 15 万片扩至 45 万片,但产能提升有爬坡过程,不是一年半后就能完全达标。要完全达标需要几年时间。如果技术提升,时间会缩短,但要实现质的飞跃仍有难度,只能逐步优化提升。去年(2025 年)通过技术改进,单台设备产能提升,但这种提升有限,不能无限制扩展,还需从原料端提升质量和成晶率。


Bryce:公司希望今年(2026 年)产量翻倍,不仅通过增加设备数量,还通过工艺改良提升投料量和单晶产出。为达成目标,会多方面努力,对吗?

专家:是的。


Bryce:如果投料到单晶环节一直不达预期,产出水平很低,公司会不会选择增加设备数量来弥补?

专家:有可能,但这样毛利率会大幅下降。另一种方式是减少 4 寸供给,增加 3 寸小尺寸供给,前提是 3 寸订单充足,这样也能折算成 4 寸产能。


Bryce:客户需求按尺寸和导电类型共有 6 种,哪种最紧缺,最急需?未来哪些可能过剩?不同尺寸对应不同产品吗?比如 100G 的 EML、低功率或高功率 CW 是否必须用特定尺寸?

专家:是的,不同尺寸和掺杂类型有对应关系。掺杂不同,炉子生长方式接近,只是掺杂剂不同。掺硫型主要用于光芯片等相关产品,用量最大。掺铁型为半绝缘,主要用于特殊激光器,量较小。掺锌型用量也小,但价格相差几百元。掺铁和掺硫在价格和生长难度上有差异,比如位错和牵引力等指标要求更高。掺硫型指标相对较低。


Bryce:掺硫的更高,掺硫用于哪类芯片?

专家:掺硫更好做,主要用于光芯片相关产品。


Bryce:掺铁的是什么用途?

专家:比如基站用的功率放大器。


Bryce:尺寸和最终产品之间有关系吗?还是说仅从衬底厂商的角度来看,尺寸的变化可以提升收益?比如 2 寸的衬底是否也可以用于高功率 CW 光源等应用?

专家:其实都可以,只是说数量上会有差异。比如 2 寸的面积大约是 4 寸的 1/4,但做成光芯片的数量可能不是 1/4,甚至可能只有 1/8 或 1/10。

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