以下为专家观点：

 2025年实际产量远低于规划产能的主要原因是什么？是需求不足还是生产环节存在瓶颈？ 

产量未能提升的主要原因是生产环节的瓶颈，而非市场需求不足。自2025年下半年以来，磷化铟的市场需求十分旺盛，但由于产能受限，部分订单无法承接。具体瓶颈体现在：首先，部分生产线环节的产出能力不足；其次，4英寸等大尺寸晶片的生产难度较大，产量偏低，目前出货仍以2英寸和3英寸为主，4英寸产量仅为数千至上万片级别，导致产线与市场需求不完全匹配；最后，4英寸单晶生长技术尚需突破，目前其晶体生长合格率偏低，是制约整体产量释放的关键因素。公司技术团队正在针对这些技术难点进行攻关。

目前2英寸、3英寸和4英寸磷化铟晶圆在晶体生长和晶片加工两个环节的良率分别是多少？

整体良率需要分两个阶段来看。在晶体生长环节，2英寸和3英寸产品的良率高于4英寸产品的良率。在生产中，若4英寸晶体不合格，可根据其合格部分降级加工成3英寸或2英寸产品。在晶片加工环节，即将晶体通过切割、滚圆、切片、减薄、抛光、倒角等十余道工序制成晶片的过程中，良率一般在85%至90%之间。由于磷化铟晶片较脆，加工过程中容易碎裂，尤其是在处理大尺寸或超薄晶片时，良率会受到更大影响。综合来看，2英寸和3英寸产品的整体工艺相对成熟，而4英寸产品的整体成品率目前约在20%左右。预计在2026年和2027年，随着技术攻关的推进，相关良率指标有望得到提升。

公司在磷化铟产业链中处于哪个环节？下游外延片的主要厂商有哪些，他们与终端器件厂商的合作模式是怎样的？ 

公司专注于产业链上游的衬底环节，即生产单晶抛光片。外延生长由下游客户完成，主要客户包括华兴激光和三安光电等。这些客户在公司提供的衬底片上进行外延生长，制成外延片，再进一步加工成芯片，最终由器件厂商应用于不同场景。因此，器件厂商通常是向华兴激光这类外延厂商采购，与公司隔着一个环节。此外，华为海思也是公司非常重要的客户，他们采购公司的衬底片后，使用自有的MOCVD设备进行外延生长，主要应用于手机和5G/6G通信基站等领域的芯片。

与竞争对手通美和住友相比，公司的技术路线有何异同？在生产工艺上有哪些自身的改进？ 

在技术路线上，公司与通美、住友的大方向基本一致，均采用VGF法（垂直梯度凝固法）进行晶体生长，主要的差异在于各家使用的设备厂家以及具体的工艺参数不同。在生产工艺方面，公司近年来通过技术突破，对单晶生长炉进行了自主改进，采用了加长型设计。常规设备生产的晶棒长度约为60公分，而公司的加长版设备可生产70至80公分的晶棒，这有助于增加每根晶棒的合格部分，从而提升产量。在后端的晶片加工环节，工艺流程和设备与行业主流基本一致，部分关键加工和检测设备从日本、美国、德国等地进口。

磷化铟衬底产品主要有哪些不同规格？其技术难点和成品率有何差异？

公司的4英寸衬底产品主要分为两种规格：一种是高电阻率的高阻产品（掺铁），另一种是低电阻率的低阻产品（掺硫）。这两种产品在载流子浓度、迁移率、位错等关键指标上有所不同。其中，掺铁的高阻产品技术难度更大，成品率相对较低。而掺硫的低阻产品技术成熟度更高，成品率也相应更高。前述提到的4英寸产品约20%的整体成品率，主要是指技术难度更高的高阻产品；而掺硫产品的良率和成品率则会更高。

针对15万片的规划产能，目前的设备配套情况如何？未来的扩产计划是怎样的？ 

为实现15万片的规划产能，后端的加工和检测设备，特别是进口设备，已在前两年基本配置到位。主要的瓶颈在于前端的单晶炉数量尚未完全匹配，要达到15万片的规模需要上千台单晶炉，不过这部分设备已实现国产化。目前，公司正在现有厂区内建设一栋新的厂房，专门用于磷化铟和部分锗片的生产。该厂房已于近期封顶，正在进行水、电、气等配套设施及内部装修工作，预计2026年年底前可以投入运营。新厂房建成后，将新增一部分单晶生产和加工设备。届时，只要市场需求允许，预计到2027年，实现15万片的产能目标将没有问题。结合良率的提升，预计从2026年下半年到2027年上半年，产量将实现较大幅度的增长。

目前3英寸和4英寸的售价分别是多少？

价格因产品规格而异，掺铁和掺硫产品的价格不同。一般来说，3英寸产品的价格区间大约在每片2,600至2,700元左右。4英寸产品的价格更高，品质较好的产品价格约在每片3,000至4,000元。近年来，市场价格整体呈现下降趋势。此外，不同厂商的产品因指标差异，价格也会有所不同。2025年，公司的营收约为3.2亿元以上，其产品组合除了磷化铟外，还包括锗片和少量砷化镓。

除了华为之外，公司目前还在接触哪些其他客户，例如激光器领域的客户？

公司的客户中，华为是主要客户之一。同时，产品也被应用于激光器领域，例如华兴激光、三安光电等客户都在使用，但最终端的芯片使用者，如光模块厂商，可能不完全了解。

外延工艺对晶圆尺寸有何影响？不同尺寸的晶圆可以切割出多少颗芯片？

外延工艺本身不改变晶圆的尺寸，无论是4英寸还是3英寸。工艺完成后，晶圆边缘部分因无法制成芯片需要被切除。以用于光模块的芯片为例，一片4英寸晶圆大约能切割出1,200至1,400颗芯片；一片6英寸晶圆可切割出3,000颗以上；而一片2英寸晶圆则大约能切割300多颗，但准确数字还需要与下游客户确认。

对于同一块外延片，不同类型的激光器芯片在尺寸上是否存在显著差异，从而影响单片晶圆的产出数量？

同一块外延片用于制造不同类型的芯片时，虽然最终产出的芯片个数可能会有差异，但这种差异应该不会特别大。

公司是否有海外客户？ 

磷化铟业务目前基本以内销为主，客户均为国内客户。锗业务之前有国外客户，但近两年由于国家商务部需要审批，出口变得不容易。

公司近期是否有新的扩产项目或正在接洽重要客户？ 

公司目前有一个在建的磷化铟厂房项目，该项目建成后，15万片的产能将得到保障。公司计划在年底达到10万片左右的生产规模。

影响毛利率的主要因素有哪些？

当前的毛利率与产量规模有较大关系，未来随着产量的提升，成本有望进一步优化，从而带动毛利率上升。现阶段影响成本和毛利的主要因素包括：技术突破的进展、生产环节的匹配度（例如部分设备因场地受限无法安装，导致单晶生长炉不足以支撑15万片的目标，拉高了成本）、以及单晶生长环节的成品率。

磷化铟衬底材料的主要生产环节是怎样的？关键原材料的国产化进展如何？ 

生产主要涉及三个环节：首先是多晶合成，使用高纯磷和高纯铟合成磷化铟多晶；其次是单晶生长，通过单晶生长炉将多晶制成单晶体；最后是晶片加工，将单晶体制成衬底材料对外销售。在原材料方面，三四年前高纯铟、高纯磷以及磷化铟多晶均需从美国、日本、英国等地进口。目前已基本实现国产化，国内供应商如云南的云锡和湖南株洲等地的高纯铟，以及贵州等地的高纯磷，其产品质量已能满足生产要求。

生产过程中使用的炉子是何种设备？其技术壁垒主要体现在哪些方面？

磷化铟的合成炉和单晶生长炉本质上是具有特殊结构的电炉。核心反应在炉内的石英管中进行，通过真空或在27个大气压的惰性气体保护下生长晶体。石英管外围是耐高温材料，再往外是不锈钢炉壳和加热元件。炉子设备本身已相对成熟，技术壁垒主要体现在各家厂商不同的生产工艺控制条件，这直接影响了产品的良品率。其中，单晶生长炉对成品率的影响最大。

公司在4英寸和6英寸磷化铟产品上的技术进展和良率情况如何？与国外先进水平相比存在哪些差距？ 

目前公司面临的最大问题是单晶生长环节的成品率偏低，尤其是4英寸产品的成品率较低，导致其成本偏高。公司正在进行6英寸产品的实验，但目前仅能产出一些试用片，尚未形成可对外销售的产品，技术难度更大。相比之下，美国等国外厂商可能已经实现了6英寸产品的产业化和技术突破。虽然公司与国外存在一定差距，但差距正在不断缩小。

当前磷化铟市场的竞争格局和需求状况如何？公司面临的主要挑战是什么？ 

目前市场需求非常旺盛，竞争也比较激烈。由于4英寸产品订单较多，以及高阻产品的产量偏低，导致部分订单无法交付或需要排期两三个月。当前市场呈现出需求端量大而生产端产能不足的状况，公司的扩产计划正是为了应对未来的发展趋势。

公司目前不同尺寸产品的出货比例是怎样的？未来的产品结构规划是什么？

当前的出货结构中，4英寸产品约占10%，3英寸产品占比最大，约为50%至60%，其余为2英寸产品。未来的规划是提升4英寸产品的比例，此举将有助于降低成本并更好地满足市场需求。

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