1、电子板块自主可控与存储分析

半导体自主可控投资逻辑：受地缘冲突因素影响，半导体自主可控重要性进一步凸显，冲突发生前市场已对相关领域供应链风险有所反应。过去几年国内在气体、化学品、划片机等半导体上游环节的国产替代进程较慢，整体替代率较低，目前上述领域国产化率不足10%，且仅覆盖中低端市场。受多边贸易及对美相关贸易情况影响，当前产业端已关注到除美国外的企业在上述领域布局领先，国内相关产业仍处于追赶阶段。相关受益标的包括华特气体、鼎龙、安吉、光力科技等，未来1年及更长时间，上述领域国产替代进程将持续加速。

算力产业链投资展望：持续看好数据中心产业链与国产算力产业链的长期发展。

存储板块需求空间分析：当前持续看好存储板块的市场行情，板块目前仍处于行情前中段，需求端增长确定性较强。汽车电子领域，具备自动驾驶能力的汽车当前存储平均用量为15-16GB，未来仍有20倍左右的增长空间；全球手机年销量约12亿部，汽车年销量约1亿台，汽车领域存储需求增量规模可观。AI算力领域，当前AI数据中心已出现存储缺货情况，HBM的速度、容量增长相对有限，即便GPU、CPU性能持续提升，存储瓶颈仍制约算力释放。此外，相关新型算力芯片转向的SCRAM路线存在容量限制明显、成本极高的问题，进一步凸显存储供给端约束，支撑存储需求高景气度。

普冉股份2025年业绩情况：普冉股份2025年年报业绩表现亮眼，核心数据如下：
a. 全年业绩：实现营收23.2亿元，同比增长28.62%，此前市场预期营收为21亿元左右，实际业绩超出市场预期；
b. 季度表现：2025年Q1至Q4营收分别为4.06亿元、5亿元、5.27亿元、8.86亿元，全年利润主要由Q4贡献；
c. 增长驱动：业绩增长主要来自两方面，一是存储行业整体需求回暖，带动公司核心业务增长；二是公司占比约25%的存储+MCU产品市场份额提升，2025年MCU相关业务实现营收约5.23亿元；
d. 收购业务表现：公司收购的SSHM主营业务2025年实现营收13.5亿元，此前市场预期为11-12亿元，同样超出预期。该业务与海力士合作紧密，产品涨价幅度温和，2026年营收表现值得期待。

存储板块价格与业绩展望：2026年二季度即将开启，当前存储板块价格涨幅预期持续上调，半个月前市场预期2026年二季度存储价格涨幅为20%-30%，目前已上调至超50%。价格走势方面，2027年底前存储价格涨幅将维持高位，最高或超50%，2028年下半年价格或转头向下。业绩释放窗口方面，2026年全年至2027年上半年为存储板块业绩持续释放期，此前市场预期2026年上半年业绩较为火爆，当前可预计2026年全年及2027年上半年存储行业业绩将持续释放，期间板块股价或出现较大波动，但业绩端具备较强支撑。

2、功率半导体行业分析

功率半导体涨价情况梳理：2026年以来功率半导体行业开启涨价潮，多家海内外头部厂商先后宣布上调功率芯片及模组价格，涉及企业包括英飞凌、威舍（Vishay）、新节能、士兰微、华润微、杰杰微（JJV）等。多数厂商调价通知于2026年2月发布，正式调价窗口集中在2026年3-4月。具体来看，海外厂商中英飞凌宣布提高MOS及功率IC类产品价格，Vishay同步对旗下MOS产品线调价；国内厂商中新节能与杰杰微明确自3月起MOS产品价格上调10%，华润微也发布了产品调价通知。

功率半导体涨价原因分析：本轮功率半导体涨价核心原因来自三方面：a. 需求端拉动，AI数据中心爆发式增长带动高端功率开关器件需求飙升，出现结构性缺货，是本轮涨价的核心诱因；b. 成本端承压，铜、银等封装贵金属、晶圆代工化学品及塑封料等上游原材料价格上涨，带来的成本压力无法通过企业内部消化，倒逼企业调价对冲成本；c. 外部事件催化，2026年2月以来的美伊冲突抬升市场对原油成本上涨的预期，引发对长期滞胀的忧虑，间接利好新能源车、光伏储能等新能源赛道，进一步拉动功率半导体需求预期。

功率半导体相关标的推荐：结合行业涨价逻辑及下游需求趋势，当前重点推荐斯达半导。公司业务结构与行业需求高度匹配，超60%的营收来自新能源行业，其中近60%来自新能源汽车领域，约20%来自光伏与储能领域。受益于本轮功率半导体涨价红利，以及新能源车、光伏储能两大核心赛道的需求增长，公司IGBT、碳化硅模块的出货量及业绩有望同步增长，建议重点关注该标的后续表现。

3、PCB产业链近况更新

CCL环节价格变动分析：近期PCB产业链出现新变化，此前列入涨价环节的上游电子布、涂布加工费涨幅较大、涨价频率较高，受上游成本变动影响，市场此前对CCL环节存在担忧，核心担忧集中在两点：一是CCL无法实现全面性价格调涨，二是若顺价幅度不及预期，CCL环节仍将承受上游成本上涨带来的压力。从当前市场情况来看，除偏传统的CCL产品处于涨价通道外，台系供应商已经开始对M6级以上的高端CCL逐步启动调价动作，这一调价行为背后有两方面核心驱动因素：一方面直接反映出高端CCL的市场供给关系偏紧，另一方面也说明上游成本压力已经开始向全系列CCL传导。基于当前产业变化趋势，后续高端CCL产品有望迎来一波跟涨行情，因此对PCB产业链的关注点可以从原本以传统类业务为主的厂商，转向同时布局高端与传统业务的相关厂商。

4、磷化铟产业链投资分析

磷化铟需求逻辑梳理：当前光通信领域传输速率持续升级，未来将向1.6T、3.2T大规模演进，叠加GTC大会、CPU技术迭代的推动，磷化铟成为光模块领域的核心瓶颈材料。目前光模块主要有两种技术路径：一种是分工合作模式，即采用连续波激光器（CW）光源加外部调制器的硅光模块，成本相对更低；另一种是当前应用更广泛的高度集成模式，即电吸收调制激光器（EML），二者的核心差异为CW光源属于外挂还是集成在衬底之上。EML路径必须使用磷化铟衬底，波导调制、光电转换探测部分也高度集成在该衬底上，除衬底供给紧张外，外延生成多层纳米层的工艺复杂度更高，成本也更高。硅光路径的CW光源加外部调制器模式，对磷化铟衬底的消耗更少，成本更低。磷化铟作为直接带隙材料，可直接产生传输效率最高、损耗最低的1.31μm和1.5μm频段光，是AI大数据传输场景最适配的材料。当前光模块需求呈现EML、硅光双线并行的态势，叠加800G、1.6T光模块及CPU OCS新架构的发展，1.6T光模块对磷化铟衬底的面积需求是800G的3倍，即便硅光路径减少了衬底用量，但仍需使用磷化铟CW光源衬底，因此磷化铟需求增长的高弹性确定性较强。

磷化铟相关投资方向：从投资维度来看，磷化铟产业链多个环节均具备布局价值，可从上游原材料、衬底、光芯片、设备四个维度进行挖掘。上游原材料环节，具备铟提纯能力的相关厂商有望受益于磷化铟需求增长带来的原材料需求提升，值得重点挖掘。衬底环节，云南锗业已经实现6英寸磷化铟衬底的国产化突破，直接受益于衬底需求的爆发与价格上行。光芯片环节，源杰科技、长光华芯等厂商当前正在高端光芯片领域加速推进国产替代，有望充分享受行业高景气红利。设备环节，随着1.6T光模块的需求增长、渗透率提升以及未来规模放量的预期，光耦合、固晶机等相关生产设备的需求也将随之增长，相关设备厂商迎来量价提升的长期发展逻辑。整体来看，磷化铟产业链各环节均受益于下游需求爆发带来的量价齐升，行业处于高景气周期，相关具备核心技术、产能优势的厂商具备较高的投资价值，可持续跟踪关注。

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